[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201310743133.3
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103926754A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 吳玲;葉巖溪;沈柏平
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1335;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉松

1.一種陣列基板，包括透光區和非透光區，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極，其中至少部分位于所述非透光區的所述公共電極厚度大于位于所述透光區的所述公共電極的厚度。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極為透明導電層。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括基板；位于所述基板上的薄膜晶體管、數據線和信號線；覆蓋薄膜晶體管、數據線和信號線的平坦層、公共電極位于平坦層上，位于公共電極上的絕緣層、位于絕緣層上的像素電極，所述像素電極包括多個條形電極。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述數據線位于所述公共電極下方，所述數據線和所述公共電極之間由絕緣層隔開。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極包括基準層和增厚部，增厚部位于基準層遠離陣列基板一側的表面，且基準層和增厚部一體成型，其中公共電極基準層位于所述透光區，公共電極增厚部位于所述非透光區。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透光區的所述公共電極的厚度為至所述非透光區的所述公共電極厚度為至

7.一種顯示面板，其特征在于，包括：如權利要求1-6任一項所述的陣列基板，與所述陣列基板相對設置的彩膜基板；所述非透光區公共電極的位置正對所述彩膜基板上的黑矩陣的位置。

8.根據權利要求7所述的顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括黑矩陣、透光區、公共電極，其中至少部分位于所述黑矩陣區的所述公共電極厚度大于位于所述透光區的所述公共電極的厚度。

9.一種顯示裝置，其特征在于，所述裝置包括權利要求7-8任一權項所述的顯示面板。

10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底包括透光區和非透光區；

在所述基底上沉積金屬氧化物薄膜；

將所述金屬氧化物薄膜通過構圖工藝形成位于所述非透光區的公共電極與位于所述透光區的公共電極；其中至少部分位于所述非透光區的公共電極厚度大于位于所述透光區的公共電極的厚度。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，將所述金屬氧化物薄膜通過構圖工藝形成所述非透光區的公共電極與所述透光區的公共電極，包括：

在所述金屬氧化物薄膜上涂覆光刻膠，并進行曝光、顯影，暴露出部分所述金屬氧化物薄膜；

刻蝕所述金屬氧化物薄膜；

去除光刻膠，形成位于所述非透光區的公共電極與位于所述透光區的公共電極；其中至少部分位于所述非透光區的公共電極厚度大于位于所述透光區的公共電極的厚度。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述金屬氧化物薄膜，包括：

對所述金屬氧化物薄膜進行干法刻蝕；或對所述金屬氧化物薄膜進行濕法刻蝕。