[發明專利]一種去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法

在審

• 申請號: 201310742921.0
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN104752155A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 趙福;陳思奇;顧文彬;沈佳;周旭波
• 申請（專利權）人: 美新半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅

技術領域

本發明是關于半導體領域，尤其涉及一種去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法。

背景技術

IBE（離子束刻蝕）刻蝕是一種純物理的干法刻蝕，其原理是使用轟擊性粒子對沒有光刻膠（Photoresist）保護區域進行轟擊，反應生成物由機器內部泵抽走，但是在轟擊過程中，靠近圖形光刻膠邊緣的部分轟擊后產生的生成物會粘附在光刻膠圖形的側壁上形成fence（粘附物），機器無法抽走，越靠近光刻膠圖形側壁的底部，粘附物越厚，IBE刻蝕時間越長，粘附物越厚。這對于刻蝕后光刻膠去除以及圖形定義都是有弊端的。

傳統的工藝通常做法是：a.在光刻膠去除后使用刷子或者高壓水對圖形邊緣粘附物進行物理性的擦除或者沖擊，最終通過沖水、甩干達到去除粘附物的效果。現在很多半導體制造朝著二維方向發展，不光純平面有圖形，在凹坑、斜坡等非平面也是有圖形的，所以傳統的去除粘附物方法覆蓋不到此類位置中圖形，從而影響了去除粘附物及光刻膠的效果，影響了圖形質量。此外，由于采用物理去除方法進行粘附物去除，可能引入二次玷污；b.采用一些腐蝕性液體對IBE刻蝕后wafer進行清洗，但是此類方法會影響到正常圖形也被清洗腐蝕到，且很大一部分粘附物是一種混合物，純粹一些腐蝕性液體不能去除干凈，最終影響圖形質量。

因此，有必要對現在技術做進一步的改進。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺陷，提供一種去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法，其能夠有效的去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠，不會造成二次污染，并且保證了圖形質量，本發明的方法可以適用于任何材質的粘附物去除，也可以用于圓片（wafer）表面任何圖形的粘附物，同時也可以適用于非平面圖形的粘附物去除。

為達成前述目的，本發明一種去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法，其包括：采用IBE刻蝕對基片表面沒有光刻膠覆蓋的區域進行刻蝕形成所需圖形，對該刻蝕后的基片首先進行烘烤以蒸發掉光刻膠溶劑，然后再對基片依次重復進行冷卻、烘烤，然后再使用氧離子對光刻膠表面進行轟擊，最后將所述圓片浸入去膠藥液中去除圖形邊緣粘附物和光刻膠。

作為本發明一個優選的實施例，其具體包括如下步驟：

步驟一：采用IBE刻蝕對基片表面沒有光刻膠覆蓋的區域進行刻蝕形成所需圖形；

步驟二：對步驟一刻蝕后的基片進行烘烤，蒸發掉光刻膠溶劑，光刻膠圖形收縮；

步驟三：對經步驟二后的基片進行冷卻處理，使得光刻膠圖形進一步收縮；

步驟四：對經步驟三后的基片繼續烘烤，再使得光刻膠膨脹；

步驟五：重復上述步驟三至四；

步驟六：使用氧離子對經步驟五后的光刻膠進行表面轟擊，以去除由于IBE刻蝕后硬化部分光刻膠；

步驟七：將經步驟六后的基片浸泡于去膠藥液中，并超聲震蕩，去除粘附物和光刻膠。

作為本發明一個優選的實施例，所述基片為晶圓圓片。

作為本發明一個優選的實施例，所述基片還包括芯片或者需要涂覆光刻膠的薄膜。

作為本發明一個優選的實施例，所述步驟五中，重復的次數至少為兩次。

作為本發明一個優選的實施例，所述步驟三中光刻膠收縮的程度大于所述步驟二中光刻膠收縮的程度。

作為本發明一個優選的實施例，所述步驟四中的烘烤溫度大于或等于所述步驟二中的烘烤溫度。

本發明的有益效果：與現有技術相比，本發明一種去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法，其能夠有效的去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠，不會造成二次污染，并且保證了圖形質量，本發明的方法可以適用于任何材質的粘附物去除，也可以用于圓片表面任何圖形的粘附物，同時也可以適用于非平面圖形的粘附物去除。

附圖說明

圖1為本發明方法的工藝流程圖；

圖2是本發明步驟一刻蝕后得到的圖形結構；

圖3是本發明步驟二和三烘烤、冷卻后形成的光刻膠圖形示意圖；

圖4是本發明步驟四繼續烘烤后形成的光刻膠圖形示意圖；

圖5是本發明步驟一至七后去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步詳細說明。

此處所稱的“一個實施例”或“實施例”是指可包含于本發明至少一個實現方式中的特定特征、結構或特性。在本說明書中不同地方出現的“在一個實施例中”并非均指同一個實施例，也不是單獨的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。