[發明專利]一種去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法

在審

• 申請號: 201310742921.0
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN104752155A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 趙福;陳思奇;顧文彬;沈佳;周旭波
• 申請（專利權）人: 美新半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅

1.一種去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法，其特征在于：采用IBE刻蝕對基片表面沒有光刻膠覆蓋的區域進行刻蝕形成所需圖形，對該刻蝕后的基片首先進行烘烤以蒸發掉光刻膠溶劑，然后再對基片依次重復進行冷卻、烘烤，然后再使用氧離子對光刻膠表面進行轟擊，最后將所述圓片浸入去膠藥液中去除圖形邊緣粘附物和光刻膠。

2.根據權利要求1所述的去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法，其特征在于：其具體包括如下步驟：

步驟一：采用IBE刻蝕對基片表面沒有光刻膠覆蓋的區域進行刻蝕形成所需圖形；

步驟二：對步驟一刻蝕后的基片進行烘烤，蒸發掉光刻膠溶劑，光刻膠圖形收縮；

步驟三：對經步驟二后的基片進行冷卻處理，使得光刻膠圖形進一步收縮；

步驟四：對經步驟三后的基片繼續烘烤，再使得光刻膠膨脹；

步驟五：重復上述步驟三至四；

步驟六：使用氧離子對經步驟五后的光刻膠進行表面轟擊，以去除由于IBE刻蝕后硬化部分光刻膠；

步驟七：將經步驟六后的基片浸泡于去膠藥液中，并超聲震蕩，去除粘附物和光刻膠。

3.根據權利要求1所述的去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法，其特征在于：所述基片為晶圓圓片。

4.根據權利要求1所述的去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法，其特征在于：所述基片還包括芯片或者需要涂覆光刻膠的薄膜。

5.根據權利要求2所述的去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法，其特征在于：所述步驟五中，重復的次數至少為兩次。

6.根據權利要求2所述的去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法，其特征在于：所述步驟三中光刻膠收縮的程度大于所述步驟二中光刻膠收縮的程度。

7.根據權利要求2所述的去除IBE刻蝕后圖形邊緣粘附物及光刻膠的方法，其特征在于：所述步驟四中的烘烤溫度大于或等于所述步驟二中的烘烤溫度。