[發明專利]一種高靈敏度銻堿光電陰極和光電倍增管無效
| 申請號： | 201310742762.4 | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103715033A | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發明（設計）人： | 徐向晏;安迎波;孫巧霞;劉虎林;曹希斌;盧裕;田進壽;董改云 | 申請（專利權）人： | 中國科學院西安光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | H01J1/34 | 分類號： | H01J1/34;H01J40/06;H01J9/12 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 楊引雪 |
| 地址： | 710119 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 靈敏度 光電 陰極 光電倍增管 | ||
1.一種高靈敏度銻堿光電陰極，其特征在于：包括光電陰極襯底，所述光電陰極襯底上設置有陰極增透層，陰極增透層上設置有銻堿光電陰極發射層。
2.根據權利要求1所述的高靈敏度銻堿光電陰極，其特征在于：所述光電陰極發射層是由銻和堿金屬通過真空蒸發制備而成；所述堿金屬是鈉、鉀、銫任一或任意多種以任意比例混合形成。
3.根據權利要求1所述的高靈敏度銻堿光電陰極，其特征在于：所述銻堿光電陰極發射層的厚度為20-100nm。
4.根據權利要求1所述的高靈敏度銻堿光電陰極，其特征在于：所述陰極增透層折射率位于2.3-2.6之間。
5.根據權利要求1所述的高靈敏度銻堿光電陰極，其特征在于：所述光電陰極襯底為石英玻璃或者硼硅玻璃。
6.一種光電倍增管，包括覆蓋在真空容器內表面的光電陰極，其特征在于：所述光電陰極包括光電陰極襯底，所述光電陰極襯底上設置有陰極增透層，陰極增透層上設置有銻堿光電陰極發射層；所述光電陰極覆蓋在真空容器的全部或部分內表面上。
7.根據權利要求6所述的光電倍增管，其特征在于：所述光電陰極發射層是由銻和堿金屬通過真空蒸發制備而成；所述堿金屬是鈉、鉀、銫任一或任意多種以任意比例混合形成。
8.根據權利要求6所述的光電倍增管，其特征在于：所述銻堿光電陰極發射層的厚度為20-100nm。
9.根據權利要求6所述的光電倍增管，其特征在于：所述陰極增透層折射率位于2.3-2.6之間。
10.根據權利要求6所述的光電倍增管，其特征在于：所述光電陰極襯底為石英玻璃或者硼硅玻璃。
11.一種高靈敏度銻堿光電陰極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1]制作陰極增透層
選擇可以透射入射光的襯底，并在該襯底上制作在增透層，增透層折射率位于2.3-2.6之間；
2]制作光電陰極發射層
通過真空蒸鍍的方式將堿金屬與銻沉積在步驟1制作的增透層上，形成厚度為20-100nm的光電陰極發射層。
12.根據權利要求11所述的高靈敏度銻堿光電陰極的制備方法，其特征在于：所述堿金屬是鈉、鉀、銫任一或任意多種以任意比例混合形成。
13.根據權利要求12所述的高靈敏度銻堿光電陰極的制備方法，其特征在于：所述步驟1中所述的襯底為石英玻璃或者硼硅玻璃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院西安光學精密機械研究所，未經中國科學院西安光學精密機械研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310742762.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
