[發明專利]互補型薄膜晶體管驅動背板及其制作方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201310742725.3
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103715147A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 任章淳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/417;H01L23/50;H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種互補型薄膜晶體管驅動背板及其制作方法、顯示面板。

背景技術

隨著人們生活水平的提高，人們對顯示質量的要求也越來越高，液晶顯示器（LCD）已經非常成熟，手機、相機、電腦、電視等都可見LCD的身影。人們對顯示產品的大量需求，客觀上推動了顯示技術的發展，新的顯示技術不斷出現，如低溫多晶硅、有機顯示等。有源矩陣有機發光二極體面板（AMOLED）被稱為下一代顯示技術，包括三星電子、LG、飛利浦都十分重視這項新的顯示技術。目前除了三星電子與LG、飛利浦以發展大尺寸有源矩陣有機發光二極體面板產品為主要方向外，三星SDI、友達等都是以中小尺寸為發展方向。因為有源矩陣有機發光二極體面板不管在畫質、效能及成本上，先天表現都較TFT?LCD優勢很多。但是現有的有源矩陣有機發光二極體面板，特別是用于驅動面板顯像的互補型薄膜晶體管驅動背板，其制作工藝主要是通過構圖工藝在其內的各薄膜層上形成如薄膜晶體管等器件所需的圖形，這就需要進行多次構圖工藝，通常需要十一次的掩膜光刻工藝以及三次摻雜工藝才能制作完成，而每次供圖工藝所需的資金很昂貴；因此對于互補型薄膜晶體管驅動背板的制作而言，減少構圖工藝的次數、簡化制作步驟是制約其發展的難題；并且為適應有源矩陣有機發光二極體面板更輕更薄的發展需求，如何合理的減小其厚度也是急需解決的問題。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：提供一種互補型薄膜晶體管驅動背板及其制作方法、顯示面板；以實現簡化制作步驟，節約制作成本的目的。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：一種互補型薄膜晶體管驅動背板的制作方法，包括如下步驟：

在襯底基板上設置下半導體層，并形成P型半導體有源層；

在下半導體層上設置柵絕緣層；

在柵絕緣層上設置下電極層，并形成P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極；所述P型晶體管柵極位于所述P型半導體有源層的上方；

利用氧化物半導體材料在下電極層上設置上半導體層，并通過構圖工藝形成像素電極和N型半導體有源層；所述N型半導體有源層的兩端分別與所述N型晶體管源極和N型晶體管漏極搭接；

對所述像素電極區域對應的氧化物半導體材料進行等離子體處理；

在上半導體層上設置隔離絕緣保護層，并形成保護單元和位于所述P型半導體有源層兩端和所述像素電極對應區域的接觸孔；

在隔離絕緣保護層上設置上電極層，并形成P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極；所述P型晶體管源極、P型晶體管漏極分別通過所述接觸孔與所述P型半導體有源層的兩端相連，所述N型晶體管柵極位于所述N型半導體有源層的上方；

在上電極層上設置像素定義層，并形成像素連接口。

進一步地，所述在襯底基板上設置下半導體層包括：在所述襯底基板上設置緩沖層；

在所述緩沖層上設置非晶硅薄膜；

對非晶硅薄膜進行脫氫處理；

對非晶硅薄膜進行準分子激光退火處理，使非晶硅薄膜轉變多晶硅薄膜，該多晶硅薄膜即為所述的下半導體層。

進一步地，通過掩膜光刻工藝在下半導體層上形成多個P型半導體有源層；

所述P型半導體有源層包括源極接觸區、漏極接觸區以及設置在源極接觸區與漏極接觸區之間的有源層連接區；

通過離子注入工藝對P型半導體有源層進行摻雜劑注入；在注入過程中，通過P型晶體管柵極作為掩模，將摻雜劑分別注入源極接觸區和漏極接觸區；

通過活化工藝將摻雜劑高度活化。

進一步地，所述接觸孔位于P型晶體管柵極兩側，并貫穿隔離絕緣保護層直至P型半導體有源層的源極接觸區和漏極接觸區；所述像素連接口設置在所述像素電極上。

進一步地，所述P型晶體管漏極與所述像素電極連接；

所述P型晶體管漏極與所述像素電極連接；所述N型半導體有源層連接在所述N型晶體管源極和N型晶體管漏極之間。

進一步地，所述上半導體層采用銦鎵鋅氧化物、鋅氧化物、銦鋅氧化物和銦錫鋅氧化物中一種。

一種互補型薄膜晶體管驅動背板，由如上述中所述互補型薄膜晶體管驅動背板的制作方法制成。

進一步地，包括襯底基體，在該襯底基板上依次設置包括多個P型半導體有源層的下半導體層；

柵絕緣層；

包括多個P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極的下電極層；

包括多個像素電極和N型半導體有源層的上半導體層；