[發明專利]互補型薄膜晶體管驅動背板及其制作方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201310742725.3
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103715147A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 任章淳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/417;H01L23/50;H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種互補型薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于：包括如下步驟：

在襯底基板上設置下半導體層，并形成P型半導體有源層；

在下半導體層上設置柵絕緣層；

在柵絕緣層上設置下電極層，并形成P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極；所述P型晶體管柵極位于所述P型半導體有源層的上方；

利用氧化物半導體材料在下電極層上設置上半導體層，并通過構圖工藝形成像素電極和N型半導體有源層；所述N型半導體有源層的兩端分別與所述N型晶體管源極和N型晶體管漏極搭接；

對所述像素電極區域對應的氧化物半導體材料進行等離子體處理；

在上半導體層上設置隔離絕緣保護層，并形成保護單元和位于所述P型半導體有源層兩端和所述像素電極對應區域的接觸孔；

在隔離絕緣保護層上設置上電極層，并形成P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極；所述P型晶體管源極、P型晶體管漏極分別通過所述接觸孔與所述P型半導體有源層的兩端相連，所述N型晶體管柵極位于所述N型半導體有源層的上方；

在上電極層上設置像素定義層，并形成像素連接口。

2.如權利要求1所述互補型薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上設置下半導體層包括：

在所述襯底基板上設置緩沖層；

在所述緩沖層上設置非晶硅薄膜；

對非晶硅薄膜進行脫氫處理；

對非晶硅薄膜進行準分子激光退火處理，使非晶硅薄膜轉變多晶硅薄膜，該多晶硅薄膜即為所述的下半導體層。

3.如權利要求2所述互補型薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于，還包括：

通過掩膜光刻工藝在下半導體層上形成多個P型半導體有源層；所述P型半導體有源層包括源極接觸區、漏極接觸區以及設置在源極接觸區與漏極接觸區之間的有源層連接區；

通過離子注入工藝對P型半導體有源層進行摻雜劑注入；在注入過程中，通過P型晶體管柵極作為掩模，將摻雜劑分別注入源極接觸區和漏極接觸區；

通過活化工藝將摻雜劑高度活化。

4.如權利要求3所述互補型薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于：

所述接觸孔位于P型晶體管柵極兩側，并貫穿隔離絕緣保護層直至P型半導體有源層的源極接觸區和漏極接觸區；所述像素連接口設置在所述像素電極上。

5.如權利要求4所述互補型薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于：

所述P型晶體管漏極與所述像素電極連接；所述N型半導體有源層連接在所述N型晶體管源極和N型晶體管漏極之間。

6.如權利要求5所述互補型薄膜晶體管驅動背板的制作方法，其特征在于：

所述上半導體層采用銦鎵鋅氧化物、鋅氧化物、銦鋅氧化物、和銦錫鋅氧化物中一種。

7.一種互補型薄膜晶體管驅動背板，其特征在于，由如權利要求1-6中任一所述互補型薄膜晶體管驅動背板的制作方法制成。

8.如權利要求7所述互補型薄膜晶體管驅動背板，其特征在于：包括襯底基體，在該襯底基板上依次設置包括多個P型半導體有源層的下半導體層；

柵絕緣層；

包括多個P型晶體管柵極、N型晶體管源極和N型晶體管漏極的下電極層；

包括多個像素電極和N型半導體有源層的上半導體層；

包括多個接觸孔和保護單元的隔離絕緣保護層；

包括P型晶體管源極、P型晶體管漏極和N型晶體管柵極的上電極層；

以及包括像素連接口的像素定義層。

9.如權利要求8所述互補型薄膜晶體管驅動背板，其特征在于：

所述P型半導體有源層包括源極接觸區、漏極接觸區以及設置在源極接觸區與漏極接觸區之間的有源層連接區；所述P型晶體管柵極設置在所述P型半導體有源層的上方所述P型晶體管源極深入接觸孔與所述源極接觸區連接；所述P型晶體管漏極深入接觸孔與所述漏極接觸區連接。

10.如權利要求9所述互補型薄膜晶體管驅動背板，其特征在于：所述像素電極設置在所述P型半導體有源層與所述N型半導體有源層之間；所述N型晶體管源極與所述N型晶體管漏極通過所述N型半導體有源層連接；所述N型晶體管柵極設置在所述N型半導體有源層的上方。