[發明專利]一種陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201310741942.0 | 申請日: | 2013-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103681772B | 公開(公告)日: | 2018-09-11 |
| 發明(設計)人: | 田棟協;柳奉烈;安星俊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3258 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種陣列基板和顯示裝置,以解決自發光顯示裝置的像素退化問題。本發明中陣列基板包括驅動顯示像素顯示圖像的電壓驅動電路,以及電流感應電路,還包括測試像素、電流比較電路和電壓補償電路,其中,所述測試像素與所述電流感應電路連接,所述電流比較電路與所述電流感應電路和所述電壓補償電路相連接;所述電流比較電路,用于將所述電流感應電路感應到的流經所述測試像素的電流的電流值與設定閾值進行比較,并將比較結果輸出至所述電壓補償電路;所述電壓補償電路,用于在所述電流值小于所述設定閾值時,對所述電壓驅動電路的驅動電壓進行補償。通過本發明,能夠對顯示像素進行電流補償,避免像素退化現象發生。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的發展,可見度高、不需要背光源的自發光顯示裝置越來越受到人們的關注。
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源發光二極管顯示器)作為一種電流型發光器件,由于能滿足顯示器高分辨率與大尺寸的要求,應用越來越廣泛,AMOLED能夠發光是由薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)在飽和狀態時產生驅動電流并驅動有機發光元件,諸如OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)發光,OLED具有功耗低、亮度高、成本低、視角廣,以及響應速度快等優點,備受關注,在有機發光技術領域得到了廣泛的應用。
AMOLED中,包含有若干個按矩陣分布的像素單元,每個像素單元內包含有紅色顯示像素、綠色顯示像素和藍色顯示像素,每個顯示像素內設置有諸如OLED的有機發光元件,OLED等有機發光元件的性能影響顯示像素的顯示亮度,由于OLED等有機發光元件可能會因環境的影響而發生性能改變,性能改變的有機發光元件發光亮度會降低,進而影響正常的顯示,超時使用會使得特定像素出現退化,隨著時間的推移,退化的像素一直存在,使得該退化嚴重的像素區域出現Image sticking(圖像燒灼)現象,進而降低了AMOLED使用壽命。
發明內容
本發明的目的是提供一種陣列基板和顯示裝置,以改善自發光顯示裝置中的像素退化現象。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的:
本發明一方面提供一種陣列基板,該陣列基板包括驅動顯示像素顯示圖像的電壓驅動電路以及電流感應電路,還包括與顯示像素具有相同的初始參數性能的測試像素、電流比較電路和電壓補償電路,其中,
所述測試像素與所述電流感應電路連接,所述電流比較電路與所述電流感應電路和所述電壓補償電路相連接;
所述電流比較電路,用于將所述電流感應電路感應到的流經所述測試像素的電流的電流值與設定閾值進行比較,并將比較結果輸出至所述電壓補償電路;
所述電壓補償電路,用于在所述電流值小于所述設定閾值時,對所述電壓驅動電路的驅動電壓進行補償。
本發明提供的陣列基板中,包括測試像素、電流比較電路和電壓補償電路,通過電流比較電路比較流經測試像素的電流值與設定的標準閾值的大小,當流經測試像素的電流值小于設定閾值時,電壓補償電路能夠對電壓驅動電路的驅動電壓進行補償,從而達到對流經顯示像素的電流進行補償,因此能夠避免特定像素退化,進而能夠避免Imagesticking現象的發生。
可選的,本發明實施例中測試像素包括紅色測試像素、綠色測試像素和藍色測試像素,以檢測每種顏色的測試像素的電流值,實現對每種顏色的顯示像素的補償。
可選的,本發明實施例中測試像素為一個像素單元中的紅色顯示像素、綠色顯示像素和藍色顯示像素,通過顯示像素直接作為測試像素進行電流的檢測,簡化工藝。
可選的,本發明實施例中測試像素設置于非顯示區域,以避免影響陣列基板的正常顯示。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





