[發明專利]發光器件及其制造方法和顯示裝置在審
| 申請號: | 201310741732.1 | 申請日: | 2013-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103715368A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 吳長晏 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種發光器件及其制造方法和
顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode,簡稱:OLED),具有自發光的特性,當電流通過時OLED中的有機材料就會發光。與傳統的液晶顯示器相比,OLED顯示裝置的屏幕可視角度大且能夠顯著節省電能,因此OLED顯示裝置具備了液晶顯示器所不可比擬的優勢。
OLED可包括:襯底基板和形成于襯底基板內表面之上的透明電極、有機層和金屬電極,有機層位于透明電極之上,金屬電極位于有機層之上。為提高OLED的光取出效率,可在OLED的結構中增設光取出結構。現有技術中可在襯底基板的外表面設置光取出結構或者在襯底基板和有機層之間設置光取出結構,從而在光取出結構的作用下提高OLED的光取出效率。在襯底基板外表面上設置光取出結構時,光取出結構可以為散射粒子(particle)、微透鏡陣列(Micro?Lens?Array,簡稱:MLA)或者表面粗糙結構,其中,表面粗糙結構可以為直接制作在襯底基板外表面上的結構,在襯底基板的外表面上設置光取出結構可減少基板模態(Substrate?mode),從而增加光取出效率。在襯底基板內表面上設置光取出結構時,光取出結構可以為散射粒子、光柵結構或者表面粗糙結構,其中,表面粗糙結構可以為直接制作在襯底基板內表面上的結構,在襯底基板的內表面上設置光取出結構可減少基板模態和有機模態(Organic?mode),從而增加光取出效率。
但是,現有技術中的上述方案僅能在一定程度上提高OLED的光取出效率,實際應用中OLED的光取出效率仍然較低。
發明內容
本發明提供一種發光器件及其制造方法和顯示裝置,用于提高發光器件的光取出效率。
為實現上述目的,本發明提供了一種發光器件,包括:襯底基板和形成于所述襯底基板之上的第一電極、有機層和第二電極,所述有機層位于所述第一電極和所述第二電極之間,所述第二電極包括:金屬電極,所述金屬電極中設置有光取出粒子。
可選地,所述第二電極還包括:位于所述有機層和所述金屬電極之間的透明電極。
可選地,所述金屬電極的反射率大于95%。
可選地,所述金屬電極的厚度包括:50nm至300nm。
可選地,所述透明電極的厚度包括:10nm至100nm。
可選地,所述光取出粒子的材料包括:金屬氧化物、高分子聚合物、氧化硅、硫化鋅和硒化鋅中的一種或多種。
可選地,所述光取出粒子的尺寸包括:10nm至1000nm。
可選地,所述透明電極的材料包括:ITO、IZO、ITZO、AZO、FTO和GITO中的一種或多種。
可選地,當所述透明電極的材料包括ITO、IZO、ITZO、AZO、FTO和GITO中的多種時,所述透明電極為多層結構。
可選地,所述第一電極靠近所述襯底基板設置或者所述第二電極靠近所述襯底基板設置。
為實現上述目的,本發明提供了一種顯示裝置,包括:上述發光器件。
為實現上述目的,本發明提供了一種發光器件的制造方法,包括:
在襯底基板之上形成第一電極、有機層和第二電極的步驟,所述有機層位于所述第一電極和第二電極之間,所述第二電極包括:金屬電極,所述金屬電極中設置有光取出粒子。
可選地,所述第二電極還包括:透明電極,所述透明電極形成于所述有機層和所述金屬電極之間。
可選地,所述在襯底基板之上形成第一電極、有機層和第二電極的步驟包括:
在所述襯底基板上形成所述第一電極;
在所述襯底基板上形成所述有機層,所述有機層位于所述第一電極之上;
在所述襯底基板上形成透明電極,所述透明電極位于所述有機層之上;
在襯底基板上形成金屬電極,所述金屬電極位于所述透明電極之上。
可選地,所述在襯底基板之上形成第一電極、有機層和第二電極的步驟包括:
在所述襯底基板上形成透明電極;
在所述襯底基板上形成金屬電極,所述金屬電極位于所述透明電極之上;
在所述襯底基板上形成所述有機層,所述有機層位于所述金屬電極之上;
在所述襯底基板上形成所述第一電極,所述第一電極位于所述有機層之上。
可選地,所述在所述襯底基板上形成金屬電極包括:
在所述襯底基板之上形成光取出粒子;
在所述光取出粒子上形成所述金屬電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





