[發明專利]發光器件及其制造方法和顯示裝置

在審

• 申請號: 201310741732.1
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103715368A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 吳長晏
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種發光器件，包括：襯底基板和形成于所述襯底基板之上的第一電極、有機層和第二電極，所述有機層位于所述第一電極和所述第二電極之間，其特征在于，所述第二電極包括：金屬電極，所述金屬電極中設置有光取出粒子。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第二電極還包括：位于所述有機層和所述金屬電極之間的透明電極。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述金屬電極的反射率大于95%。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述金屬電極的厚度包括：50nm至300nm。

5.根據權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述透明電極的厚度包括：10nm至100nm。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述光取出粒子的材料包括：金屬氧化物、高分子聚合物、氧化硅、硫化鋅和硒化鋅中的一種或多種。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述光取出粒子的尺寸包括：10nm至1000nm。

8.根據權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述透明電極的材料包括：ITO、IZO、ITZO、AZO、FTO和GITO中的一種或多種。

9.根據權利要求8所述的發光器件，其特征在于，當所述透明電極的材料包括ITO、IZO、ITZO、AZO、FTO和GITO中的多種時，所述透明電極為多層結構。

10.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述第一電極靠近所述襯底基板設置或者所述第二電極靠近所述襯底基板設置。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括：上述權利要求1至10任一所述的發光器件。

12.一種發光器件的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底基板之上形成第一電極、有機層和第二電極的步驟，所述有機層位于所述第一電極和第二電極之間，所述第二電極包括：金屬電極，所述金屬電極中設置有光取出粒子。

13.根據權利要求12所述的發光器件的制造方法，其特征在于，所述第二電極還包括：透明電極，所述透明電極形成于所述有機層和所述金屬電極之間。

14.根據權利要求13所述的發光器件的制造方法，其特征在于，所述在襯底基板之上形成第一電極、有機層和第二電極的步驟包括：

在所述襯底基板上形成所述第一電極；

在所述襯底基板上形成所述有機層，所述有機層位于所述第一電極之上；

在所述襯底基板上形成透明電極，所述透明電極位于所述有機層之上；

在襯底基板上形成金屬電極，所述金屬電極位于所述透明電極之上。

15.根據權利要求13所述的發光器件的制造方法，其特征在于，所述在襯底基板之上形成第一電極、有機層和第二電極的步驟包括：

在所述襯底基板上形成透明電極；

在所述襯底基板上形成金屬電極，所述金屬電極位于所述透明電極之上；

在所述襯底基板上形成所述有機層，所述有機層位于所述金屬電極之上；

在所述襯底基板上形成所述第一電極，所述第一電極位于所述有機層之上。

16.根據權利要求14或15所述的發光器件的制造方法，其特征在于，所述在所述襯底基板上形成金屬電極包括：

在所述襯底基板之上形成光取出粒子；

在所述光取出粒子上形成所述金屬電極。