[發明專利]具有改進的噪聲性能的X射線探測器有效
| 申請號: | 201310741529.4 | 申請日: | 2013-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103904091A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | A.J.庫圖爾;G.帕塔薩拉蒂;J.J.劉 | 申請(專利權)人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G01T1/20 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 易皎鶴;湯春龍 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改進 噪聲 性能 射線 探測器 | ||
背景技術
用連續的光電二極管制造的數字X射線探測器具有用于低成本數字射線照相技術的潛在用于,以及用于使用有機光電二極管的柔性襯底上更加堅固、重量輕和便攜探測器的潛在應用。連續的光電二極管數字X射線探測器具有提高的填充因子和潛在更高的量子效率。連續的光電二極管數字X射線探測器的一個缺點是與有圖案的光電二極管數字X射線探測器相比,連續的光電二極管的結構會降低X射線探測器的電子噪聲性能。
發明內容
本申請的發明人認識到與有圖案的光電二極管數字X射線探測器相比,關于連續的光電二極管數字X射線探測器的電子噪聲性能降低的一個因素是增加到數據讀出線的附加電容。電容的增加可以至少在部分上造成晶體管陣列中的數據讀出線直接耦連到連續的光電二極管的無圖案電極。由這種耦連引起的附加負載可能增加數據轉換電子器件的電子噪聲。另外,此負載電容可以增加用于數據轉換電子器件的讀出的穩定時間。
本申請的示例性實施例涉及制造用于成像應用的探測器和用在醫療成像系統中的探測器的方法。示例性實施例可以被實施,以控制數據讀出線的負載電容,從而相比傳統的包括連續光傳感器的探測器相比,提高讀出速度,降低電子噪聲。示例性實施例通過規定電極與數據讀出線的空間關系來控制數據讀出線和探測器的連續光傳感器的電極之間的寄生電容來控制數據讀出線的負載電容。
在一個實施例中,公開了一種制造成像探測器的方法。所述方法包括:在襯底上沉積多個晶體管;關于所述襯底形成數據讀出線,所述數據讀出線具有長度和寬度,并連接到所述多個晶體管中的至少兩個晶體管的輸出;在所述數據讀出線上沉積光傳感器的連續的無圖案光電材料。所述光電材料與所述多個晶體管電通信。所述方法還包括在所述光電材料上沉積光傳感器的電極,以形成光傳感器的陽極或陰極,并在跨越數據讀出線的寬度上規定電極和數據讀出線之間的空間關系,從而控制電極和數據讀出線之間的寄生電容器的電容。具體地,在襯底上沉積多個晶體管;在關于所述襯底的第一平面形成數據讀出線,所述數據讀出線具有長度和寬度,并與所述多個晶體管中的至少兩個晶體管電通信;在所述數據讀出線上沉積連續的無圖案光電材料,所述連續的無圖案光電材料與所述多個晶體管中的所述至少兩個晶體管電通信;在所述光電材料上沉積電極,所述電極被沉積在第二平面中;以及其中,所述電極與所述數據讀出線側向偏移。
如上實施例第二方面,所述電極是連續的無圖案電極,并且所述電極覆蓋所述數據讀出線的部分與所述數據讀出線垂直偏移。如上第二方面的第三方面,所述方法進一步包括在所述電極和所述數據讀出線之間沉積介質,以使所述電極的所述部分與所述數據讀出線垂直偏移。如上第三方面的第四方面,所述介質覆蓋所述數據讀出線的寬度。如上第四方面的第五方面,沉積所述介質包括在沉積所述光電材料之前,跨越所述數據讀出線的寬度以及在所述電極和所述數據讀出線之間沉積所述介質。如上第四方面的第六方面,沉積所述介質包括在沉積所述光電材料之后,跨越所述數據讀出線的寬度以及在所述電極和所述數據讀出線之間沉積所述介質。如上實施例第七方面,沉積所述電極包括無圖案地沉積所述電極,以覆蓋所述數據讀出線,并且所述方法進一步包括蝕刻所述電極覆蓋所述數據讀出線的寬度的部分。如上實施例的第八方面,所述方法進一步包括按照圖案沉積所述電極,以省去跨越所述數據讀出線的寬度的電極。如上實施例的第九方面,所述方法進一步包括在沉積連續的光電材料之前,跨越所述數據讀出線的寬度沉積介質層。如上實施例的第十方面,所述多個晶體管排列成具有行和列的陣列,并且,所述數據讀出線的長度沿所述列之一的范圍延伸,并連接到所述列中每個晶體管的輸出,并且,沉積所述光電材料和沉積所述電極各自包括在所述陣列上連續地沉積所述光電材料和所述電極,使得所述光電材料和電極基本上覆蓋所述數據讀出線的長度和寬度。如上第三方面的第十一方面,沉積所述電極包括在所述陣列上沉積所述電極,使得在所述數據讀出線的長度和寬度上垂直地對齊的所述電極的一部分與所述電極與所述數據讀出線橫向偏移的那一部分垂直地偏移。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





