[發明專利]具有改進的噪聲性能的X射線探測器有效
| 申請號: | 201310741529.4 | 申請日: | 2013-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103904091A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | A.J.庫圖爾;G.帕塔薩拉蒂;J.J.劉 | 申請(專利權)人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G01T1/20 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 易皎鶴;湯春龍 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改進 噪聲 性能 射線 探測器 | ||
1.一種制造成像探測器的方法,所述方法包括:
在襯底上沉積多個晶體管;
在關于所述襯底的第一平面形成數據讀出線,所述數據讀出線具有長度和寬度,并與所述多個晶體管中的至少兩個晶體管電通信;
在所述數據讀出線上沉積連續的無圖案光電材料,所述連續的無圖案光電材料與所述多個晶體管中的所述至少兩個晶體管電通信;
在所述光電材料上沉積電極,所述電極被沉積在第二平面中;以及
其中,所述電極與所述數據讀出線側向偏移。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述電極是連續的無圖案電極,并且所述電極覆蓋所述數據讀出線的部分與所述數據讀出線垂直偏移。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法進一步包括在所述電極和所述數據讀出線之間沉積介質,以使所述電極的所述部分與所述數據讀出線垂直偏移。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述介質覆蓋所述數據讀出線的寬度。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,沉積所述介質包括在沉積所述光電材料之前,跨越所述數據讀出線的寬度以及在所述電極和所述數據讀出線之間沉積所述介質。
6.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,沉積所述介質包括在沉積所述光電材料之后,跨越所述數據讀出線的寬度以及在所述電極和所述數據讀出線之間沉積所述介質。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,沉積所述電極包括無圖案地沉積所述電極,以覆蓋所述數據讀出線,并且所述方法進一步包括蝕刻所述電極覆蓋所述數據讀出線的寬度的部分。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法進一步包括按照圖案沉積所述電極,以省去跨越所述數據讀出線的寬度的電極。
9.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法進一步包括在沉積連續的光電材料之前,跨越所述數據讀出線的寬度沉積介質層。
10.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述多個晶體管排列成具有行和列的陣列,并且,所述數據讀出線的長度沿所述列之一的范圍延伸,并連接到所述列中每個晶體管的輸出,并且,沉積所述光電材料和沉積所述電極各自包括在所述陣列上連續地沉積所述光電材料和所述電極,使得所述光電材料和電極基本上覆蓋所述數據讀出線的長度和寬度。
11.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,沉積所述電極包括在所述陣列上沉積所述電極,使得在所述數據讀出線的長度和寬度上垂直地對齊的所述電極的一部分與所述電極與所述數據讀出線橫向偏移的那一部分垂直地偏移。
12.一種用于成像裝置的探測器,所述探測器包括:
多個晶體管;
數據讀出線,所述數據讀出線與所述多個晶體管中的至少兩個晶體管電通信,所述數據線具有長度和寬度,并位于第一平面內;
連續的無圖案光電材料,所述連續的無圖案光電材料覆蓋所述數據讀出線的寬度并與所述至少兩個晶體管電通信;以及
電極,所述電極覆蓋所述光電材料,所述電極位于第二平面內;
其中,所述電極與所述數據讀出線橫向偏移。
13.根據權利要求12所述的探測器,其特征在于,所述電極是連續的無圖案電極,并且所述電極覆蓋所述數據讀出線的部分與所述數據讀出線垂直地偏移。
14.根據權利要求13所述的探測器,其特征在于,所述探測器進一步包括沉積于所述電極和所述數據讀出線之間的介質,以使所述電極的所述部分與所述數據讀出線垂直地偏移。
15.根據權利要求13所述的探測器,其特征在于,所述探測器進一步包括沉積于所述電極和所述數據讀出線之間的介質,以規定空間關系,所述介質覆蓋所述數據讀出線的寬度。
16.根據權利要求15所述的探測器,其特征在于,所述介質沉積于所述光電材料和所述數據讀出線之間。
17.根據權利要求15所述的探測器,其特征在于,所述介質沉積于所述電極和所述光電材料之間。
18.根據權利要求12所述的探測器,其特征在于,所述電極按照圖案沉積,使得跨越所述數據讀出線的寬度省去所述電極,以規定所述電極和所述數據讀出線之間的空間關系。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





