[發明專利]半導體裝置的制造方法及半導體裝置

在審

• 申請號: 201310741302.X
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103903995A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 紺野順平;西田隆文;木下順弘;長谷川和功;杉山道昭
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;李文嶼

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

（a）準備布線基板的工序，該布線基板具有：芯片搭載面、形成在所述芯片搭載面上的多個端子、及分別配置在所述多個端子上的多個第1焊錫材料；

在此，

所述多個端子在俯視觀察下分別具有：第1部分，其沿第1方向具有第1連結部及第2連結部，且由第1寬度構成；第2部分，其由比所述第1寬度大的第2寬度構成，且與所述第1部分的所述第1連結部連結；和第3部分，其由比所述第1寬度大的第3寬度構成，且與所述第1部分的所述第2連結部連結，

所述第1寬度、所述第2寬度及所述第3寬度分別為沿與所述第1方向正交的第2方向的長度，

（b）將具有表面、形成在所述表面上的多個焊盤、與所述多個焊盤接合的多個突起電極、及安裝在所述多個突起電極的頂端面上的多個第2焊錫材料的半導體芯片，以使所述表面與所述布線基板的所述芯片搭載面相對的方式配置，并將所述多個端子與所述多個焊盤電連接的工序；

在此，

在所述（b）工序中，以使所述多個突起電極各自的所述頂端面的中心分別位于所述多個端子各自的所述第2部分與所述第3部分之間的方式，將所述半導體芯片與所述布線基板電連接。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在俯視觀察下，所述第2部分的面積與所述第3部分的面積相等。

3.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述第2部分的所述第2寬度與所述第3部分的所述第3寬度相等。

4.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述（b）工序中，將所述多個第1焊錫材料及第2焊錫材料熔融而接合。

5.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述多個第1焊錫材料分別具有：

位于所述多個端子的所述第1部分上的第4部分；

位于所述多個端子的所述第2部分上的第5部分；和

位于所述多個端子的所述第3部分上的第6部分，

在所述（a）工序中，所述多個第1焊錫材料的所述第4部分的厚度比所述多個第1焊錫材料的所述第5部分及所述第6部分的厚度薄。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中，

還包括以下工序：

（c）在所述（a）工序之后、且在所述（b）工序之前，以覆蓋所述布線基板的所述芯片搭載面的芯片搭載區域的方式配置絕緣性封固材料的工序。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述封固材料包含熱固性樹脂。

8.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述（b）工序中，在俯視觀察下，以使所述多個突起電極各自的頂端面的一部分分別與所述第2部分及所述第3部分重疊的方式配置所述多個突起電極。

9.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述多個第1焊錫材料分別具有：

位于所述多個端子的所述第1部分上的第4部分；

位于所述多個端子的所述第2部分上的第5部分；和

位于所述多個端子的所述第3部分上的第6部分，

在所述（b）工序中，在俯視觀察下，以使所述多個突起電極各自的頂端面的一部分分別與所述第5部分及所述第6部分重疊的方式配置所述多個突起電極。

10.如權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述第2部分的沿所述第1方向的長度大于所述第2寬度，

所述第3部分的沿所述第1方向的長度大于所述第3寬度。