[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310741176.8
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103715228A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 劉圣烈;崔承鎮;金熙哲;宋泳錫
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

OLED(Organic?Light-Emitting?Diode，有機發光二極管)顯示器與CRT(Cathode?Ray?Tube，陰極射線管)顯示器或TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器)相比具有更輕和更薄的外觀設計、更寬的可視視角、更快的響應速度以及更低的功耗等特點，因此OLED顯示器已逐漸作為下一代顯示設備而備受人們的關注。

OLED器件是自發光器件，其通常包括陰電極、與陰電極相對設置的陽電極以及設置于陰電極與陽電極之間的有機發光層。OLED器件通過將電壓施加到包括陰電極和陽電極上以使設置于陰電極和陽電極之間的有機發光層兩端形成電場，從而使得電子和空穴能夠在有機發光層中彼此復合而發光。其中，可以通過具有電路單元的陣列基板控制施加在像素電極上的電壓，從而控制OLED顯示裝置的顯示效果。

現有技術中，OLED顯示裝置包括OLED器件和TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜晶體管)陣列基板。OLED器件有機發光層設置在TFT陣列基板的像素電極表面。所述的像素電極可作為OLED器件的陰電極或陽電極應用。受TFT結構中的電容及電流磁場影響，發光層的發光效果較差。而且，由于TFT結構的像素電極表面粗糙，在涂覆發光層前，還需要對像素電極的襯底進行表面處理，使加工工藝較為繁瑣，增加了生產成本。

為了解決以上問題，本發明做了有益改進。

發明內容

（一）要解決的技術問題

本發明的目的是提供一種OLED器件發光效果不受TFT結構電氣干擾的陣列基板及其制造方法、顯示裝置，且該陣列基板的制造方法提高了生產效率，降低了生產成本。

（二）技術方案

本發明是通過以下技術方案實現的：一種陣列基板，包括OLED器件、TFT結構和基板，所述OLED器件設置在所述基板的一側，且所述TFT結構設置在所述基板的另一側；所述基板上設有通孔，所述OLED器件與TFT結構通過所述通孔連接。

其中，所述通孔內設置有導電橋；所述TFT結構通過所述導電橋與所述OLED器件連接。

進一步，還包括在所述TFT結構一側的基板上對應TFT結構的位置設置的導電橋延伸部，所述導電橋延伸部與所述導電橋一體形成；所述TFT結構通過所述導電橋及導電橋延伸部與所述OLED器件連接。

其中，所述導電橋的材質為有機導電樹脂。

具體地，所述TFT結構包括設有所述導電橋延伸部的基板上設置的阻擋層及阻擋層過孔，在所述阻擋層上沿遠離基板方向依次形成的源極和漏極、半導體層、柵絕緣層、柵極和鈍化層，所述TFT結構的漏極穿過所述阻擋層過孔與所述導電橋延伸部電連接。

具體地，所述OLED器件包括陽電極、發光片和陰電極；所述陽電極或陰電極通過所述通孔與所述TFT結構連接。

其中，所述陽電極和陰電極均采用透明導電材料制成。

進一步，所述發光片設置在所述陽電極和所述陰電極之間沿豎直方向不與所述源極、漏極和柵極相對應的位置。

本發明提供一種陣列基板的制造方法，包括以下步驟:

在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔；

在所述基板的一側形成TFT結構；

在所述基板的另一側形成OLED器件，并將所述OLED器件與所述TFT結構通過所述通孔連接。

進一步，還包括：

所述通孔內形成導電橋，所述TFT結構通過所述導電橋與所述OLED器件連接。

再進一步，還包括：

在所述TFT結構一側的基板上形成導電橋延伸部，所述導電橋延伸部與所述導電橋一體形成。

其中，所述步驟“在所述基板一側形成TFT結構”具體包括以下步驟：

在設置有導電橋延伸部基板表面形成阻擋層，并在該阻擋層內形成過孔；

形成源極和漏極，并將所述漏極通過所述過孔與所述導電橋延伸部電連接。

依次形成半導體層、柵絕緣層、柵極和鈍化層。

其中，所述步驟“在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔”具體包括以下步驟：

在基板的兩側表面分別依次進行光刻膠涂覆、曝光、顯影操作，從而使所述基板兩側表面形成具有位置對應且尺寸相同的孔狀圖樣的光刻膠層；

對所述基板進行刻蝕，并去除光刻膠，形成垂直于該基板表面方向的通孔。