[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310741176.8
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103715228A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 劉圣烈;崔承鎮;金熙哲;宋泳錫
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種陣列基板，其特征在于，包括OLED器件、TFT結構和基板，所述OLED器件設置在所述基板的一側，且所述TFT結構設置在所述基板的另一側；所述基板上設有通孔，所述OLED器件與TFT結構通過所述通孔連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述通孔內設置有導電橋；所述TFT結構通過所述導電橋與所述OLED器件連接。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括在所述TFT結構一側的基板上對應TFT結構的位置設置的導電橋延伸部，所述導電橋延伸部與所述導電橋一體形成；所述TFT結構通過所述導電橋及導電橋延伸部與所述OLED器件連接。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述導電橋的材質為有機導電樹脂。

5.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述TFT結構包括設有所述導電橋延伸部的基板上設置的阻擋層及阻擋層過孔，在所述阻擋層上沿遠離基板方向依次形成的源極和漏極、半導體層、柵絕緣層、柵極和鈍化層，所述TFT結構的漏極穿過所述阻擋層過孔與所述導電橋延伸部電連接。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述OLED器件包括陽電極、發光片和陰電極；所述陽電極或陰電極通過所述通孔與所述TFT結構連接。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陽電極和陰電極均采用透明導電材料制成。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述發光片設置在所述陽電極和所述陰電極之間沿豎直方向不與所述源極、漏極和柵極相對應的位置。

9.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟:

在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔；

在所述基板的一側形成TFT結構；

在所述基板的另一側形成OLED器件，并將所述OLED器件與所述TFT結構通過所述通孔連接。

10.根據權利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括：

所述通孔內形成導電橋，所述TFT結構通過所述導電橋與所述OLED器件連接。

11.根據權利要求10所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述TFT結構一側的基板上形成導電橋延伸部，所述導電橋延伸部與所述導電橋一體形成。

12.根據權利要求11所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟“在所述基板一側形成TFT結構”具體包括以下步驟：

在設置有導電橋延伸部基板表面形成阻擋層，并在該阻擋層內形成過孔；

形成源極和漏極，并將所述漏極通過所述過孔與所述導電橋延伸部電連接。

依次形成半導體層、柵絕緣層、柵極和鈍化層。

13.根據權利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟“在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔”具體包括以下步驟：

在基板的兩側表面分別依次進行光刻膠涂覆、曝光、顯影操作，從而使所述基板兩側表面形成具有位置對應且尺寸相同的孔狀圖樣的光刻膠層；

對所述基板進行刻蝕，并去除光刻膠，形成垂直于該基板表面方向的通孔。

14.根據權利要求13所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟“對所述基板進行刻蝕”之前，還包括以下步驟：

在所述基板表面添加氫氟酸溶液，然后再對所述基板進行刻蝕。

15.根據權利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟“在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔”具體包括以下步驟：

通過激光打孔的方式在所述基板上形成貫穿該基板兩側表面的通孔。

16.根據權利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟“在所述基板的另一側形成OLED器件，并使所述OLED器件與所述TFT結構通過所述通孔連接”具體包括以下步驟：

在所述基板表面形成陰電極，并將所述陰電極通過所述通孔與所述TFT結構相連接，再依次形成發光片和陽電極；

或者，在所述基板表面形成陽電極，并將所述陽電極通過所述通孔與所述TFT結構相連接，再依次形成發光片和陰電極。

17.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1～8任一項所述的陣列基板。