[發明專利]濺射法制備柔性太陽能電池CIGS吸收層和緩沖層的方法有效
| 申請號: | 201310740650.5 | 申請日: | 2013-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103695851A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發明(設計)人: | 陳進中;莫經耀;吳伯增;林東東;甘振英 | 申請(專利權)人: | 柳州百韌特先進材料有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州凱東知識產權代理有限公司 44259 | 代理人: | 姚迎新 |
| 地址: | 545006 廣西壯族自治區*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濺射 法制 柔性 太陽能電池 cigs 吸收 緩沖 方法 | ||
技術領域
本發明涉及CIGS太陽能電池的制備,具體說是柔性CIGS太陽能電池吸收層和緩沖層的制備方法。
背景技術
現有的CIGS(銅銦鎵硒)太陽能電池包括基板,基板材料可包括玻璃、鋁、不銹鋼、聚合物或任何具相似可撓性的金屬及塑料,在基板表面沉積有數層薄膜。首先,基板上沉積有堿硅酸鹽層。一般而言,來自堿硅酸鹽層的鈉穿過底部電極層至吸收層,增加電池效率;接著,含有鉬(Mo)的底部電極層濺射至堿硅酸鹽層上,在底部電極層上沉積有吸收層,吸收層上沉積有緩沖層,緩沖層是由硫化鎘(CdS)組成。硫化鎘具有毒性。由氧化鋅(ZnO)組成的快閃層濺鍍形成于緩沖層上。快閃層用于防止太陽能電池在進行發電過程中,因Shunting及薄膜針孔(pinhole)的問題導致CIGS薄膜效能下降;最后,由鋁摻雜氧化鋅所構成的頂部電極層是濺射于快閃層上。
其中,CIGS吸收層是太陽能電池的核心部分,吸收層的制備方法如多元共蒸法和磁控濺射后硒化法。共蒸法由于采用四種不同的元素各具有不同的熔點,使得要控制整比化合物在大型基板上的形成是很困難的。目前,市場上出現有一種通過濺射法直接制備吸收層和緩沖層的方法,其采用的方法是使基板圓周運行,在圓周外通過濺射法使基板上形成吸收層和緩沖層。這種方法由于采用的是水平濺射,由于重力的作用,其在基板上沉積的吸收層和緩沖層不夠均勻,影響電池的質量。
發明內容
針對上述技術問題,本發明提供一種沉積較均勻、可連續制備吸收層和緩沖的方法。
本發明解決上述技術問題采用的技術方案是:濺射法制備柔性太陽能電池CIGS吸收層和緩沖層的方法,其包括以下步驟:
(1)制備吸收層靶材和緩沖層靶材;
(2)將上述兩靶材和對應的濺射源置于加熱的真空室內;
(3)在兩靶材下側設置工作臺,含有鉬電極層的基板可沿工作臺移動;
(4)基板沿工作臺正向移動時,濺射源由上向下轟擊吸收層靶材,使鉬電極層上沉積吸收層;
(5)吸收層沉積完成后,基板沿工作臺反向移動,濺射源由上向下轟擊緩沖層靶材,使吸收層上沉積緩沖層。
進一步地,所述吸收層靶材和緩沖層靶材設置于同一個旋轉體上,旋轉體內設有濺射源,通過轉動旋轉體切換吸收層靶材和緩沖層靶材。
進一步地,所述吸收層靶材由CIGS粉末壓制而成。
進一步地,將CuCl2、InCl3、GaCl3、Na2Se加入乙二胺中反應合成CIGS粉末。
本發明與現有技術相比具有如下優點:
1、本發明采用靶源沉積吸收層,不僅可進行大面積的生產,而且成膜質量高;
2、采用由上向下的濺射法沉積吸收層與緩沖層,避免了因重力的影響使得沉積不夠均勻的現象。
3、采用可切換的靶材方式,配合基板的正、反向運動,以沉積吸收層和緩沖層,提高了生產效率。
具體實施方式
下面詳細介紹本發明:
本發明的方法包括以下步驟:
(1)制備吸收層靶材和緩沖層靶材;
在制備吸收層靶材時,首先將CuCl2、InCl3、GaCl3、Na2Se加入乙二胺中攪拌,乙二胺可吸收合成反應所釋放的多余熱量,并可增加前驅鹽在溶劑中的溶解度,從而使反應更完全;通過上述化合物進行反應,從而合成CIGS粉末,且CIGS的粒徑較為均勻;然后將粉末壓制成吸收層靶材,這種方式可使靶材的致密度可達90%以上。本發明的緩沖層靶材采用現有的CdS靶材。
(2)將上述兩靶材和對應的濺射源置于加熱的真空室內,使得濺射在真空中進行,并通過加熱器進行加熱,維持適當的溫度條件;濺射源采用等離子化的惰性氣體,如通過離化器使氬氣生成等離子帶電體等;濺射源通過轟擊靶材,使相應的成分沉積在基板上。
(3)在兩靶材下側設置工作臺,含有鉬電極層的基板可沿工作臺移動;工作臺支撐基板,同時可通過滾子等現有裝置使基板沿工作臺正反向移動。
(4)基板沿工作臺正向移動時,吸收層靶材位于基板正上方,濺射源由上向下轟擊吸收層靶材,使鉬電極層上沉積吸收層;
(5)吸收層沉積完成后,基板沿工作臺反向移動,此時應將吸收層靶材切換成緩沖層靶材,使緩沖層靶材位于基板正上方,從而通過濺射源由上向下轟擊緩沖層靶材,使吸收層上沉積緩沖層。
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