[發明專利]金屬氧化物半導體器件和制作方法有效
| 申請號： | 201310739748.9 | 申請日： | 2013-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN103904116B | 公開（公告）日： | 2018-04-24 |
| 發明（設計）人： | 伊藤明 | 申請（專利權）人： | 安華高科技通用IP(新加坡)公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人： | 張世俊 |
| 地址： | 新加坡*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化物 半導體器件 制作方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
第一阱，嵌入在半導體襯底中；
第二阱，嵌入在所述半導體襯底中；
柵極結構，在所述第一阱和所述第二阱之上；以及
凸起型漏極結構，包括高度摻雜的漏極HDD，在所述第二阱之上并與所述第二阱接觸并且與所述柵極結構分開，所述凸起型漏極結構還包括直接設置在所述HDD之上的漏極硅化物層，
其中，所述第二阱包括第一淺溝槽絕緣STI區域和設置在所述凸起型漏極結構一邊上的第二STI區域，所述第一STI區域與所述柵極結構接觸；
其中，所述HDD至少部分在所述第二阱上表面之上，以使所述漏極硅化物層在所述第二STI域之上且與所述第二STI域分離。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括凸起型源極結構，在所述第一阱之上并與所述第一阱接觸，所述凸起型源極結構包括在所述第一阱的表面之上的源極連接點。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第一阱包括至少部分被設置在所述凸起型源極結構和所述柵極結構下方的輕摻雜區域。
4.根據權利要求3所述的半導體器件，
其中，所述第一阱被注入有具有第一導電型的材料；以及
其中，所述第二阱被注入有具有第二導電型的材料。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述凸起型源極結構包括相對于所述輕摻雜區域且在所述輕摻雜區域頂部上的第一高摻雜區域。
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述凸起型漏極結構包括在所述第二阱頂部上的第二高摻雜區域，并且所述第二高摻雜區域比所述輕摻雜區域被更高地摻雜。
7.一種半導體器件，包括：
第一阱，具有第一阱上表面；
第二阱，具有第二阱上表面；
柵極結構，被設置在所述第一阱上表面和所述第二阱上表面上；
凸起型源極結構，被設置在所述第一阱之上并與所述第一阱接觸，所述凸起型源極結構具有在至少一個位置比所述第一阱上表面更高的源極上表面；以及
凸起型漏極結構，包括高度摻雜的漏極HDD以及直接設置在所述HDD之上的漏極硅化物層；
其中，所述第二阱包括第一淺溝槽絕緣STI區域和設置在所述凸起型漏極結構一邊上的第二STI區域，所述第一STI區域與所述柵極結構接觸；
其中，所述HDD至少部分在所述第二阱上表面之上，以使所述漏極硅化物層在所述第二STI域之上且與所述第二STI域分離。
8.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括凸起型漏極結構，被設置在所述第二阱之上并與所述第二阱接觸，并且具有在至少一個位置比所述第二阱上表面更高的漏極上表面。
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述柵極結構具有比所述源極上表面和所述漏極上表面更高的柵極上表面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于安華高科技通用IP(新加坡)公司，未經安華高科技通用IP(新加坡)公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310739748.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
