[發明專利]一種改善掩模垂向重力彎曲的掩模臺

在審

• 申請號: 201310737701.9
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN104749894A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 孟春霞;聞人青青;李玉龍;林彬;張俊
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

技術領域

本發明涉及半導體制造裝備技術領域，特別地涉及一種用于光刻機的改善掩模垂向重力彎曲的掩模臺。

背景技術

隨著TFT-LCD技術的發展，為了降低制造成本，Glass的尺寸不斷增大，目前已經發展到主流的8.5代（glass尺寸為2200mm×2500mm）大世代生產線，日本夏普甚至引入了10代線（glass尺寸為2800mm×3000mm）。與此同時，制造TFT圖形，光刻使用的掩模尺寸隨著世代增大尺寸也在變大。以尼康光刻機使用的掩模尺寸為例，8.5代掩模的大小已達到1400mm（長）×1220mm（寬）×13mm（厚）。如此大的掩模放在掩模臺上，不可避免會受到向下重力的影響，在垂向上產生彎曲形變。而隨著TFT基板上光刻圖型CD尺寸減小，對光刻設備分辨率要求越來越高，掩模在垂向上的這種重力彎曲變形使光刻時的焦面Focus產生變化，進而對關鍵尺寸CD及套刻Overlay均勻性將產生越來越嚴重的影響，需要盡快解決。

在IC制造中，雖然光刻用的掩模較小，一般為6英寸（152.4mm×152.4mm），厚度為6.35mm。但是隨著工藝節點縮小到納米量級后，掩模的彎曲變形對光刻工藝的影響同樣不可忽略。

目前，對這種由于重力造成的掩模彎曲變形而引入的光刻工藝誤差，設備和制造廠商主要通過模擬仿真后，在軟件方面進行補償來改善其對光刻工藝的影響。但是這種方法有其局限性，對于不同的掩模使用同樣的補償，補償效果不一定都很好，所以最佳的方式還是通過硬件的改造在根本上消除掩模的這種變形。

如圖1-3所示，是目前掩模臺的簡化結構及掩模放在掩模臺后出現彎曲變形的示意圖。1為掩模臺上對掩模產生向下吸力的真空吸附系統；2為掩模臺；3為掩模臺的透光部分；4為掩模帶有鉻圖形的石英面；5為掩模的塑料薄膜層Pellicle膜。虛線箭頭表示掩模被傳輸機械手送進掩模臺的方向。

當前，掩模被傳輸機械手放在掩模臺上后，石英面的兩個邊緣與掩模臺上的真空吸附單元接觸，被向下的吸附力固定在掩模臺上，同時由于重力作用，掩模會有向下彎曲的變形。之后進行掩模與掩模臺的對準，隨掩模臺移動，進行曝光，將掩模上的圖形轉移到下面工件臺上玻璃glass或硅片wafer的基底上。

發明內容

為了克服掩模的垂向重力彎曲，本發明提出一種改善掩模垂向重力彎曲的掩模臺，其特征在于：所述掩模臺還包括對掩模施加對稱向外背離掩模方向的拉力的系統。

優選地，所述對掩模施加對稱向外背離掩模方向的拉力的系統包括對掩模施加對稱向外拉力的多個真空吸附系統。

優選地，所述對掩模施加對稱向外背離掩模方向的拉力的系統的真空吸附系統為對稱的兩個或四個。

優選地，所述對掩模施加對稱向外背離掩模方向的拉力的系統的真空吸附系統設置在掩模臺的導軌上，當掩模放置好后，所述真空吸附系統通過導軌移動到掩模邊緣。

優選地，所述對掩模施加對稱向外背離掩模方向的拉力的系統的真空吸附系統包括多個吸附單元。

優選地，所述掩模臺還包括產生向下吸力的真空吸附系統。

本發明在原有掩模臺的基礎上，增加可以向掩模側向兩邊或四周邊緣施加對稱向外拉力的系統，如真空吸附系統，從掩模石英面邊緣的方向上，對掩模產生對稱的向外拉力。這些向外的拉力可以改善由于重力作用，掩模產生的向下彎曲變形的現象。

附圖說明

關于本發明的優點與精神可以通過以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的了解。

圖1-3為現有掩模臺結構及掩模放在掩模臺后出現彎曲變形的示意圖；

圖4為本發明改善掩模垂向重力彎曲的掩模臺第一實施例結構示意圖；

圖5為本發明改善掩模垂向重力彎曲的掩模臺第二實施例結構示意圖；

圖6為本發明改善掩模垂向重力彎曲的掩模臺第三實施例結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖詳細說明本發明的具體實施例。