[發明專利]一種金屬橋連缺陷的檢測結構以及制備方法

在審

• 申請號: 201310737681.5
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN104752247A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 葛洪濤;包小燕
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N21/95
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種金屬橋連缺陷的檢測結構，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底中形成有阱區以及位于所述阱區內的摻雜區，其中，所述阱區和所述摻雜區具有不同的摻雜類型；

通孔陣列，位于所述摻雜區上方；

第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層位于所述通孔陣列上方，所述第二金屬層位于所述第一金屬層之間和/或四周；

所述第一金屬層、所述通孔陣列、所述摻雜區以及所述阱區形成豎直互聯結構。

2.根據權利要求1所述的檢測結構，其特征在于，通過電子束檢測以排除所述第一金屬層和所述第二金屬層之間金屬橋連缺陷，以所述豎直互聯結構作為所述檢測結構的參照。

3.根據權利要求1所述的檢測結構，其特征在于，所述檢測結構還包括位于所述豎直互聯結構上的多層交替設置的所述通孔陣列和所述第一金屬層、所述第二金屬層。

4.根據權利要求3所述的檢測結構，其特征在于，在每一層中選用電子束進行檢測，通過電壓接觸原理對所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的金屬橋連缺陷進行查找和定位。

5.根據權利要求1所述的檢測結構，其特征在于，所述通孔陣列包括多列間隔設置的通孔豎列，其中，每個所述通孔豎列中又包括多個間隔設置的通孔。

6.根據權利要求1所述的檢測結構，其特征在于，所述檢測結構還包括第一層間介電層以及第二層間介電層；

所述第一層間介電層位于所述半導體襯底上、所述通孔陣列之間，以形成隔離；

所述第二層間介電層位于所述第一層間介電層上、所述第一金屬層和所述第二金屬層之間，以形成隔離。

7.根據權利要求1所述的檢測結構，其特征在于，所述半導體襯底為P型襯底，所述阱區為N阱，所述摻雜區為P型摻雜區。

8.一種金屬橋連缺陷檢測結構的制備方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底中形成有阱區以及位于所述阱區內的摻雜區，其中，所述阱區和所述摻雜區具有不同的摻雜類型；

在所述摻雜區上形成通孔陣列，以和所述摻雜區形成電連接；

在所述通孔陣列上形成第一金屬層，以和所述通孔陣列、所述摻雜區以及所述阱區形成豎直互聯結構；

形成所述第一金屬層的同時在所述第一金屬層之間和/或四周形成第二金屬層。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述豎直互聯結構的上方交替形成多層所述通孔陣列以及所述第一金屬層、第二金屬層。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，在每形成一層所述通孔陣列以及所述第一金屬層、第二金屬層后，對該層的所述第一金屬層和第二金屬層進行檢測。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述通孔陣列的方法為：

在所述半導體襯底上形成第一層間介電層，圖案化所述第一層間介電層，在所述第一層間介電層上形成多列間隔設置的通孔豎列圖案；

然后在所述通孔豎列圖案中填充導電材料，以形成所述通孔陣列。

12.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述第一金屬層和所述第二金屬層的方法為：

在所述第一層間介電層上沉積第二層間介電層以覆蓋所述通孔陣列；

圖案化所述第二層間介電層，以在所述通孔陣列上方以及通孔陣列上方之間和/或四周的第二層間介電層中形成溝槽；

在所述溝槽內填充導電材料，以形成所述第一金屬層和所述第二金屬層。