[發明專利]隆起源極/漏極MOS晶體管及借助植入間隔件及外延間隔件形成所述晶體管的方法

在審

• 申請號: 201310733831.5
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103915498A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 森秋·宋;詹姆士·W·布蘭契佛德;林關勇
• 申請（專利權）人: 德州儀器公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種半導體結構，其包括：

半導體區，其具有導電類型；

源極，其具有與所述半導體區的所述導電類型相反的導電類型，且包含觸及所述半導體區的輕摻雜源極區、觸及所述輕摻雜源極區的重摻雜源極區及觸及所述重摻雜源極區的隆起源極區，所述重摻雜源極區具有寬度，所述隆起源極區具有寬度，所述隆起源極區的所述寬度大于所述重摻雜源極區的所述寬度；

漏極，其具有與所述半導體區的所述導電類型相反的導電類型，且包含觸及所述半導體區的輕摻雜漏極區、觸及所述輕摻雜漏極區的重摻雜漏極區及觸及所述重摻雜漏極區的隆起漏極區；

所述半導體區的溝道區，其橫向位于所述源極與所述漏極之間；

柵極電介質，其觸及所述溝道區且位于所述溝道區上方；及

柵極，其觸及所述柵極電介質且位于所述柵極電介質上方。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，且其進一步包括側壁間隔件，所述側壁間隔件為非導電的、觸及所述隆起源極區及所述隆起漏極區且橫向環繞所述柵極。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其中所述側壁間隔件觸及所述隆起源極區的頂部表面且位于所述隆起源極區的頂部表面上方。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中所述側壁間隔件的最大寬度大致大于分離所述隆起源極區與所述柵極的最小距離。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述隆起源極區的頂部表面及所述隆起漏極區的頂部表面位于通過所述柵極的平面中，所述平面位于所述柵極的底部表面上面。

6.一種半導體結構，其包括：

半導體區，其具有導電類型；

源極，其具有與所述半導體區的所述導電類型相反的導電類型，且包含觸及所述半導體區的輕摻雜源極區、觸及所述輕摻雜源極區的重摻雜源極區及觸及所述重摻雜源極區的隆起源極區，所述重摻雜源極區具有寬度，所述隆起源極區具有寬度，所述重摻雜源極區的所述寬度大致大于所述隆起源極區的所述寬度；

漏極，其具有與所述半導體區的所述導電類型相反的導電類型，且包含觸及所述半導體區的輕摻雜漏極區、觸及所述輕摻雜漏極區的重摻雜漏極區及觸及所述重摻雜漏極區的隆起漏極區；

所述半導體區的溝道區，其橫向位于所述源極與所述漏極之間；

柵極電介質，其觸及所述溝道區且位于所述溝道區上方；及

柵極，其觸及所述柵極電介質且位于所述柵極電介質上方。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，且其進一步包括側壁間隔件，所述側壁間隔件為非導電的、并觸及所述柵極且橫向環繞所述柵極。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其中所述側壁間隔件觸及所述隆起源極區及所述隆起漏極區。

9.根據權利要求7所述的半導體結構，其中所述側壁間隔件與所述隆起源極區及所述隆起漏極區間隔開。

10.根據權利要求6所述的半導體結構，其中所述隆起源極區的頂部表面及所述隆起漏極區的頂部表面位于通過所述柵極的平面中，所述平面位于所述柵極的底部表面上面。

11.一種形成半導體結構的方法，其包括：

形成柵極結構，所述柵極結構包含觸及半導體區且位于所述半導體區上面的柵極電介質及觸及所述柵極電介質且位于所述柵極電介質上面的柵極；

在已形成所述柵極結構之后植入所述半導體區以形成觸及所述半導體區的輕摻雜源極區及輕摻雜漏極區；

形成觸及所述柵極結構且橫向環繞所述柵極結構的第一側壁間隔件；

在已形成所述第一側壁間隔件之后植入所述半導體區、所述輕摻雜源極區及所述輕摻雜漏極區以形成重摻雜源極區及重摻雜漏極區，所述重摻雜源極區觸及所述半導體區及所述輕摻雜源極區，所述重摻雜漏極區觸及所述半導體區及所述輕摻雜漏極區；

在已形成所述重摻雜源極區及所述重摻雜漏極區之后形成觸及所述柵極結構且橫向環繞所述柵極結構的第二側壁間隔件；及

在已形成所述第二側壁間隔件之后外延生長觸及所述重摻雜源極區的隆起源極區及觸及所述重摻雜漏極區的隆起漏極區。

12.根據權利要求11所述的方法，且其進一步包括在已形成所述重摻雜源極區及所述重摻雜漏極區之后且在形成所述第二側壁間隔件之前移除所述第一側壁間隔件。