[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310732967.4
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103715137B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔承鎮(zhèn);金熙哲;宋泳錫;劉圣烈
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11319
• 代理人: 莎日娜

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

液晶顯示裝置由于體積小、功耗低、輻射低等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電視、顯示器、筆記本電腦、平板電腦等設(shè)備上。

目前，在制造超高級超維場轉(zhuǎn)換（HADS,High Advanced Dimension Switch）型陣列基板時，通常需要進行八道掩膜工序，依次為對柵極、柵極絕緣層、蝕刻停止層、源漏金屬層、鈍化層、公共電極、鈍化層和像素電極進行構(gòu)圖。由于對于每一道掩膜工序而言，需要制造成本高昂的掩膜板，還需要執(zhí)行曝光、顯影、蝕刻、灰化等工藝步驟，從而使得現(xiàn)有陣列基板制造工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本高。因此，亟需一種能夠減少掩膜工序的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有陣列基板制造工藝復(fù)雜的問題。

為此目的，本發(fā)明提出了一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：采用一道掩膜工序形成所述陣列基板中薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及第一透明電極，其中所述有源層和所述第一透明電極由同一金屬氧化物層形成，所述源極和漏極位于所述有源層上方，其中所述第一透明電極對應(yīng)于掩膜板的第一半透光區(qū)域，所述薄膜晶體管的溝道區(qū)域?qū)?yīng)于所述掩膜板的第二半透光區(qū)域，所述薄膜晶體管的源極和漏極對應(yīng)于所述掩膜板的不透光區(qū)域，所述掩膜板的第一半透光區(qū)域的透光率大于所述掩膜板的第二半透光區(qū)域的透光率。

優(yōu)選地，所述金屬氧化物通過等離子處理形成第一透明電極。

優(yōu)選地，所述掩膜板的半透光區(qū)域為半色調(diào)掩膜或灰階掩膜。

優(yōu)選地，所述金屬氧化物為IGZO或ITZO或兩者的混合物。

優(yōu)選地，在采用一道掩膜工序形成所述陣列基板中薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及第一透明電極前，還包括：在陣列基板上形成有源層遮光層和所述第一透明電極的引線，其中所述遮光層對應(yīng)于薄膜晶體管的有源層區(qū)域，所述第一透明電極為公共電極。

優(yōu)選地，在采用一道掩膜工序形成所述陣列基板中薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及第一透明電極后，還包括：形成覆蓋所述源極、漏極和所述第一透明電極的絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有過孔；形成所述薄膜晶體管的柵極和第二透明電極，其中所述第二透明電極通過所述絕緣層的過孔與所述漏極電連接，所述第二透明電極為狹縫狀像素電極。

優(yōu)選地，在采用一道掩膜工序形成所述陣列基板中薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及第一透明電極前，還包括：在所述陣列基板上形成所述薄膜晶體管的柵極和絕緣層。

優(yōu)選地，在采用一道掩膜工序形成所述陣列基板中薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及第一透明電極后，還包括：形成連接所述漏極與所述第一透明電極的導(dǎo)電接觸，其中所述第一透明電極是像素電極；形成位于所述導(dǎo)電接觸上方的鈍化層和第二透明電極，所述第二透明電極為狹縫狀公共電極。

本發(fā)明進一步提出了一種陣列基板，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上方的有源層和公共電極，所述有源層和所述公共電極由同一金屬氧化物層形成；形成在所述有源層上方的源極和漏極；形成在所述源極、漏極和公共電極上方的絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有過孔；形成在所述絕緣層上方的像素電極，所述像素電極通過所述絕緣層上的過孔與所述漏極連接；形成在所述絕緣層上方的柵極。

優(yōu)選地，所述金屬氧化物層通過等離子處理形成公共電極。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括：形成在所述基板與所述有源層之間的遮光層以及與所述公共電極電連接的公共電極引線。

本發(fā)明還提出了一種陣列基板，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上方的柵極；覆蓋所述基板和所述柵極的絕緣層；形成在所述絕緣層上方的有源層和像素電極，所述有源層和所述像素電極由同一金屬氧化物層形成且相互鄰接；形成在所述有源層上方的源極和漏極；形成在所述漏極和所述像素電極上的導(dǎo)電接觸，用于使所述漏極和所述像素電極電連接；覆蓋所述絕緣層、源極、漏極、有源層、導(dǎo)電接觸和像素電極的鈍化層；形成在所述鈍化層上方的公共電極。

優(yōu)選地，所述金屬氧化物通過等離子處理形成像素電極。

本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，其包括上述陣列基板。

通過采用本發(fā)明所公開的陣列基板制造方法，極大減少了陣列基板的制造工藝步驟，降低了陣列基板的制造成本。

附圖說明

通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對本發(fā)明進行任何限制，在附圖中：

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的陣列基板制造方法的流程圖。