[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310732967.4
• 申請(qǐng)日: 2013-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN103715137B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔承鎮(zhèn);金熙哲;宋泳錫;劉圣烈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 北京潤澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

采用一道掩膜工序形成所述陣列基板中薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及第一透明電極，其中所述有源層和所述第一透明電極由同一金屬氧化物層形成，所述源極和漏極位于所述有源層上方，其中所述第一透明電極對(duì)應(yīng)于掩膜板的第一半透光區(qū)域，所述薄膜晶體管的溝道區(qū)域?qū)?yīng)于所述掩膜板的第二半透光區(qū)域，所述薄膜晶體管的源極和漏極對(duì)應(yīng)于所述掩膜板的不透光區(qū)域，所述掩膜板的第一半透光區(qū)域的透光率大于所述掩膜板的第二半透光區(qū)域的透光率；

其中，在采用一道掩膜工序形成所述陣列基板中薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及第一透明電極前，還包括：

在陣列基板上形成有源層遮光層和所述第一透明電極的引線，其中所述遮光層對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管的有源層區(qū)域，所述第一透明電極為公共電極；

在采用一道掩膜工序形成所述陣列基板中薄膜晶體管的源極、漏極、有源層及第一透明電極后，還包括：形成覆蓋所述源極、漏極和所述第一透明電極的絕緣層；其中，所述絕緣層的上表面與暴露出的所述漏極的上表面平齊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物通過等離子處理形成第一透明電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述掩膜板的半透光區(qū)域?yàn)榘肷{(diào)掩膜或灰階掩膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，其中所述金屬氧化物為IGZO或ITZO或兩者的混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層上設(shè)置有過孔；

形成所述薄膜晶體管的柵極和第二透明電極，其中所述第二透明電極通過所述絕緣層的過孔與所述漏極電連接，所述第二透明電極為狹縫狀像素電極。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

形成在所述基板上方的有源層和公共電極，所述有源層和所述公共電極由同一金屬氧化物層形成；

形成在所述有源層上方的源極和漏極；

形成在所述源極、漏極和公共電極上方的絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有過孔；其中，所述絕緣層的上表面與暴露出的所述漏極的上表面平齊；

形成在所述絕緣層上方的像素電極，所述像素電極通過所述絕緣層上的過孔與所述漏極連接；

形成在所述絕緣層上方的柵極；

其中，所述陣列基板還包括：形成在所述基板與所述有源層之間的遮光層以及與所述公共電極電連接的公共電極引線。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物層通過等離子處理形成公共電極。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求6至7中任一項(xiàng)所述的陣列基板。