[發明專利]封裝片

在審

• 申請號: 201310731773.2
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103904200A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 松田廣和;小名春華
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及封裝片，詳細而言，涉及用于光學用途的封裝片。

背景技術

目前，作為能夠發出高能量的光的發光裝置，已知有白色發光裝置（光半導體裝置）。

例如提出了一種光半導體裝置，其可以如下獲得：在凹型模具的底部依次裝載由有機硅彈性體成形而成的波長轉換層以及厚度為35μm的由玻璃制成的無機高熱傳導層，其后，填充其他有機硅彈性體，形成封裝樹脂層，在它們之上，以封裝樹脂層與藍色LED芯片相對的方式裝載安裝有藍色LED芯片的基板，通過加熱對它們進行封裝加工，然后進行脫模，由此得到光半導體裝置（例如參見日本特開2012-129361號公報）。

發明內容

然而，在日本特開2012-129361號公報的由波長轉換層、無機高熱傳導層以及封裝樹脂層組成的層疊體中，通過將有機硅彈性體填充到凹型模具中來形成封裝樹脂層，然后在該封裝樹脂層上個別埋設藍色LED芯片，因此有無法充分實現提高光半導體裝置的制造效率的問題。

此外，在上述層疊體中，若已經成形了的波長轉換層中所含的催化劑成分向仍未成形（即加熱）的封裝樹脂層轉移，則封裝樹脂層在與藍色LED芯片接觸前容易固化，因此變得難以確實地在這種封裝樹脂層中埋設藍色LED芯片。因此，在層疊體中，要求抑制上述轉移。

此外，對于層疊體還要求優異的強度。

然而，在日本特開2012-129361號公報的層疊體中，無機高熱傳導層在抑制上述轉移方面不充分，進而層疊體的強度也不充分，因此會有無法得到可靠性優異的光半導體裝置的問題。

本發明的目的在于提供不僅抑制被覆層所含的成分向埋設層轉移、而且強度也優異、還可以高效地制造光半導體裝置的封裝片。

本發明的封裝片的特征在于，其為用于封裝光半導體元件的封裝片，所述封裝片具備：埋設層，其用于埋設前述光半導體元件；被覆層，其相對于前述埋設層設置于厚度方向的一側；以及，用于抑制前述被覆層所含的成分轉移至前述埋設層的阻隔層，其夾設于前述埋設層與前述被覆層之間，厚度為50μm以上且1000μm以下。

通過該封裝片封裝光半導體元件時，能夠將光半導體元件集中在一起封裝，因此可以高效地制造光半導體裝置。

此外，該封裝片具備用于抑制被覆層所含的成分轉移至埋設層的、厚度為50μm以上且1000μm以下的阻隔層，因此能夠抑制被覆層所含的成分轉移至埋設層，并抑制埋設光半導體元件前的埋設層的固化。因此，通過該固化前的埋設層能夠確實地埋設光半導體元件，其后，若將埋設層固化，則能夠確實地封裝光半導體元件。因此，能夠得到尺寸穩定性優異的光半導體裝置。

并且，在該封裝片中，阻隔層的厚度為50μm以上且1000μm以下，因此能夠確保優異的強度并實現薄型化。因此，若通過該封裝片封裝光半導體元件，則可以在薄型的同時提高光半導體裝置的強度和可靠性。

此外，在本發明的封裝片中，適宜的是，前述埋設層由B階的熱固化性樹脂形成，前述被覆層由C階的熱固化性樹脂形成。

在該封裝片中，由于埋設層由B階的熱固化性樹脂形成，因此可以利用柔軟的埋設層可靠地埋設光半導體元件。此外，由于被覆層由C階的熱固化性樹脂形成，因此可以更進一步提高封裝片的強度。

此外，在本發明的封裝片中，前述阻隔層的厚度相對于前述埋設層的厚度之比為0.10以上且1.00以下是適宜的。

在該封裝片中，由于阻隔層的厚度相對于前述埋設層的厚度之比為0.10以上且1.00以下，因此能夠在提高阻隔性的同時提高封裝片的強度，并在實現封裝片的薄型化的同時確實地埋設光半導體元件。

附圖說明

圖1是示出本發明的封裝片的一個實施方式的剖面圖。

圖2是通過圖1的封裝片封裝光半導體元件，從而制造光半導體裝置的方法的工序圖，

圖2的（a）示出準備封裝片和基板的工序，

圖2的（b）示出通過封裝片封裝光半導體元件的工序。

具體實施方式

在圖1中，將紙面上下方向作為上下方向（厚度方向、第1方向）、將紙面左右方向作為左右方向（第2方向）、將紙厚方向作為縱深方向（第3方向），圖2以上述方向和圖1的方向箭頭為基準。