[發明專利]掩膜板，對其曝光的方法以及包括該掩膜板的液晶面板有效
| 申請號： | 201310728529.0 | 申請日： | 2013-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN103760747A | 公開（公告）日： | 2014-04-30 |
| 發明（設計）人： | 李蒙;王金杰 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00;G03F1/44;G03F7/20;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372 | 代理人： | 吳大建;劉華聯 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 掩膜板 曝光 方法 以及 包括 液晶面板 | ||
1.一種掩膜板，在其上設置有多個圖案區，所述多個畫素區按照其尺寸從所述掩膜板的中心到邊緣成梯度變換的方式而設置。
2.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述多個圖案區尺寸從所述掩膜板的中心到邊緣逐漸增大或逐漸減小。
3.根據權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，相鄰的尺寸不同的圖案區尺寸之間的差值在0.3-0.8μm之間。
4.根據權利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板為彩色濾光板，所述多個圖案區均設置在所述彩色濾光板的顯示單元內。
5.根據權利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板為陣列基板，所述多個圖案區為電極。
6.一種液晶面板，其包括根據權利要求1到5中任一項所述的掩膜板。
7.一種對根據權利要求1到5中任一項所述的掩膜板曝光的方法，包括以下步驟，
步驟一：水平地設置曝光罩，并檢測其形變度；
步驟二：在掩膜板上設置多個圖案區，并且所述多個圖案區根據所述曝光罩的形變度以從所述掩膜板的中心到邊緣成梯度變換的方式而設置；
步驟三：完成掩膜板曝光。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步驟二中，所述相鄰的圖案區尺寸之間的差值與光從所述曝光罩到所述掩膜板的光程差相匹配。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述步驟二中，當所述曝光罩的中心距離所述掩膜板較遠而邊緣距離所述掩膜板較近時，所述多個圖案區尺寸從所述掩膜板的中心到邊緣逐漸減小。
10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述步驟二中，當所述曝光罩的中心距離所述掩膜板較近而邊緣距離所述掩膜板較遠時，所述多個圖案區尺寸從所述掩膜板的中心到邊緣逐漸增大。
11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，相鄰的圖案區尺寸之間的差值在0.3-0.8μm之間。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
