[發(fā)明專(zhuān)利]掩膜板,對(duì)其曝光的方法以及包括該掩膜板的液晶面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310728529.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103760747A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李蒙;王金杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G03F1/00 | 分類(lèi)號(hào): | G03F1/00;G03F1/44;G03F7/20;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372 | 代理人: | 吳大建;劉華聯(lián) |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜板 曝光 方法 以及 包括 液晶面板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域,特別涉及一種掩膜板。本發(fā)明還涉及對(duì)這種掩膜板曝光的方法。本發(fā)明還涉及包括這種掩膜板的液晶面板。
背景技術(shù)
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,大尺寸,高品質(zhì),低成本的顯示器件成為一種發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于作為顯示器件〔例如TFT-LCD顯示器件)的主要組成部分之一的彩色濾光片,它的質(zhì)量直接決定顯示器件的顯示效果。
目前TFT-LCD制造業(yè)內(nèi)最為關(guān)鍵的步驟是為陣列基板和彩色濾光板進(jìn)行曝光。光罩板圖設(shè)計(jì)者依實(shí)際曝光機(jī)臺(tái)所用的光罩大小,在規(guī)定的尺寸內(nèi)進(jìn)行產(chǎn)品圖案繪制。
理想狀況下,曝光后玻璃基板上各處相同設(shè)計(jì)的圖案尺寸(CD)應(yīng)該保持一致,并且均與光罩設(shè)計(jì)值相同。對(duì)于TFT-LCD面板的顯示區(qū)域,為保持元件特性一致,通常其所有畫(huà)素設(shè)計(jì)圖案均完全相同。但是在實(shí)際曝光過(guò)程中,考慮到光罩在曝光機(jī)臺(tái)上的裝置方式,光罩會(huì)由于自身重力原因而出現(xiàn)一定程度的彎曲形變,并且光罩尺寸越大其形變量也越大。與光罩不彎曲的理想狀況相比,光罩形變會(huì)造成從光罩中心到玻璃基板和從光罩四周到玻璃基板的曝光光程出現(xiàn)差異,從而導(dǎo)致與光罩不同部位對(duì)應(yīng)的玻璃基板的不同部位受到的曝光強(qiáng)度也不同,并最終造成玻璃基板上的圖案尺寸不一致。例如以水平方向?yàn)榛鶞?zhǔn),當(dāng)光罩中心向下凸出形變(即變形為凹鏡狀)時(shí),對(duì)應(yīng)光罩中心位置的曝光面積會(huì)偏小,對(duì)應(yīng)于光罩四周處的曝光面積則偏大;而當(dāng)光罩中心向上凸出形變(即變形為凸鏡狀)時(shí),對(duì)應(yīng)光罩中心位置的曝光面積會(huì)偏大,對(duì)應(yīng)于光罩四周處的曝光面積則偏小。這些曝光面積差異意味著液晶面板的中央透光面積和四周透光面積不一致,從而導(dǎo)致液晶面板的亮度不均,液晶面板的顯示品質(zhì)。同理而言,對(duì)于陣列基板,圖案尺寸的差異過(guò)大則直接反應(yīng)在TFT驅(qū)動(dòng)性能不均,并由此影響液晶面板的顯示品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種掩膜板,其能夠補(bǔ)償由于曝光罩彎曲變形對(duì)掩膜板的曝光面積的影響。本發(fā)明還涉及對(duì)這種掩膜板進(jìn)行曝光的方法。本發(fā)明還涉及包括這種掩膜板的液晶面板。
1)根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提出了一種掩膜板,在其上設(shè)置有多個(gè)圖案區(qū),多個(gè)畫(huà)素區(qū)按照其尺寸從掩膜板的中心到邊緣成梯度變換的方式而設(shè)置。
根據(jù)本發(fā)明的掩膜板,在其上設(shè)置的圖案區(qū)的尺寸是變化的,這能夠補(bǔ)償由于曝光罩的彎曲造成的光程差與掩膜板曝光面積的影響,從而提高包括根據(jù)本發(fā)明的掩膜板的液晶面板的顯示品質(zhì)。
2)在根據(jù)本發(fā)明的第1)項(xiàng)的一個(gè)實(shí)施例中,多個(gè)圖案區(qū)尺寸從掩膜板的中心到邊緣逐漸增大或逐漸減小。圖案尺寸的從掩膜板的中心到邊緣逐漸增大或逐漸減小對(duì)應(yīng)于曝光罩的不同的彎曲情況,從而有效地補(bǔ)償曝光罩與掩膜板之間的光程變化。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中,相鄰的尺寸不同的圖案區(qū)尺寸之間的差值在0.3-0.8μm之間。這樣,圖案區(qū)的尺寸變化過(guò)渡非常細(xì)膩,有助于提高液晶面板的顯示品質(zhì)。
3)在根據(jù)本發(fā)明的第1)或第2)項(xiàng)的一個(gè)實(shí)施例中,掩膜板為彩色濾光板,多個(gè)圖案區(qū)均設(shè)置在彩色濾光板的顯示單元內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施例中,掩膜板為陣列基板,多個(gè)圖案區(qū)為電極。
4)根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提出了一種液晶面板,其包括根據(jù)本發(fā)明的第1)項(xiàng)到第3)項(xiàng)中任一個(gè)所述的掩膜板。
5)根據(jù)本發(fā)明的第三方面,提出了一種對(duì)本發(fā)明的第1)項(xiàng)到第3)項(xiàng)中任一個(gè)所述的掩膜板曝光的方法,包括以下步驟,
步驟一:水平地設(shè)置曝光罩,并檢測(cè)其形變度;
步驟二:在掩膜板上設(shè)置多個(gè)圖案區(qū),并且多個(gè)圖案區(qū)根據(jù)曝光罩的形變度以從掩膜板的中心到邊緣成梯度變換的方式而設(shè)置;
步驟三:完成掩膜板曝光。
根據(jù)本發(fā)明的方法,在設(shè)置了曝光罩之后即檢測(cè)其形變度,能夠在掩膜板上有的放矢地設(shè)置圖案區(qū)的尺寸,以減少在生產(chǎn)初期的廢品率。此外,由于圖案區(qū)的尺寸是根據(jù)曝光罩的形變程度而設(shè)置的,因此能夠最大程度地補(bǔ)償曝光罩的變形對(duì)掩膜板曝光的影響。
6)在根據(jù)本發(fā)明的第5)項(xiàng)的一個(gè)實(shí)施例中,在步驟二中,相鄰的圖案區(qū)尺寸之間的差值與光從曝光罩到掩膜板的光程差相匹配。在一個(gè)具體的實(shí)施例中,在步驟二中,當(dāng)曝光罩的中心距離掩膜板較遠(yuǎn)而邊緣距離掩膜板較近時(shí),多個(gè)圖案區(qū)尺寸從掩膜板的中心到邊緣逐漸減小。在另一個(gè)實(shí)施例中,在步驟二中,當(dāng)曝光罩的中心距離掩膜板較近而邊緣距離掩膜板較遠(yuǎn)時(shí),多個(gè)圖案區(qū)尺寸從掩膜板的中心到邊緣逐漸增大。這種設(shè)置圖案區(qū)使得掩膜板上的圖案區(qū)的尺寸更趨向于一致,從而提升液晶面板的顯示品質(zhì)。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專(zhuān)用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專(zhuān)門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線(xiàn)掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
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- 線(xiàn)程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開(kāi)參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶(hù)秘密密鑰生成裝置以及查詢(xún)發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開(kāi)參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶(hù)秘密密鑰生成方法以及查詢(xún)發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
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- X射線(xiàn)探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書(shū)信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書(shū)架
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