[發(fā)明專利]覆晶封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310728395.2
• 申請(qǐng)日: 2013-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN103700642B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡文娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 頎中科技（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L23/544;H05K1/02;H05K1/09
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)32235
• 代理人: 楊林潔

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體覆晶封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

目前，液晶顯示器發(fā)展迅速，高清、高頻顯示器已進(jìn)入主流市場(chǎng)，作為液晶顯示器的重要模塊組成的覆晶封裝芯片也面臨升級(jí)和換代，應(yīng)運(yùn)而生的微間距覆晶封裝芯片具有尺寸小，輸出信號(hào)多等優(yōu)點(diǎn)而得快速發(fā)展，微間距覆晶封裝芯片已經(jīng)成為顯示器驅(qū)動(dòng)芯片的主導(dǎo)。隨著液晶顯示驅(qū)動(dòng)芯片尺寸越來越小，液晶顯示驅(qū)動(dòng)芯片的晶背面可供傳統(tǒng)激光蓋印的區(qū)域正逐漸無法滿足蓋印要求。

在覆晶封裝制程中，傳統(tǒng)的蓋印方法是使用激光蓋印在芯片的晶背面，這種蓋印方法的弊端是在蓋印時(shí)會(huì)產(chǎn)生硅微粒殘削，若此硅微粒殘留在柔性線路板線路區(qū)域，則會(huì)影響產(chǎn)品的品質(zhì)，降低覆晶封裝芯片成品良率，甚至造成液晶面板的報(bào)廢。

再者，隨著液晶顯示驅(qū)動(dòng)覆晶封裝芯片尺寸越來越小, 覆晶封裝芯片晶背面可供傳統(tǒng)激光蓋印的區(qū)域正逐漸無法滿足現(xiàn)有的蓋印要求；其逐漸縮小的蓋印區(qū)域亦對(duì)激光蓋印機(jī)臺(tái)的精度要求變得更加的嚴(yán)苛。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其可以解決因覆晶封裝芯片尺寸變小而無法滿足激光蓋印要求的趨勢(shì)，改善在傳統(tǒng)蓋印在覆晶封裝芯片的晶背面時(shí)產(chǎn)生硅微粒殘削問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

為實(shí)現(xiàn)以上發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案: 一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)，包括柔性電路板和設(shè)置在所述柔性電路板上的芯片，所述柔性電路板包括基層、設(shè)置在基層上的線路層及設(shè)置在線路層上的保護(hù)層，所述線路層與芯片電性連接，所述柔性電路板在設(shè)計(jì)階段預(yù)留有激光蓋印區(qū)域，所述激光蓋印區(qū)域設(shè)置在用于保護(hù)線路層的保護(hù)層范圍內(nèi)，包含線路層，且所述激光蓋印區(qū)域與外部電路和內(nèi)部電路無電性功能。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述激光蓋印區(qū)域的形狀為規(guī)則形狀。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述規(guī)則形狀是對(duì)稱的圖形。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述激光蓋印區(qū)域的形狀為不規(guī)則形狀。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述不規(guī)則形狀為不規(guī)則的多邊形。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述激光蓋印區(qū)域的面積大于0.05平方毫米。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述線路層是銅質(zhì)材料。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述線路層上鍍有錫。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述保護(hù)層由綠漆涂布形成。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過在柔性電路板的設(shè)計(jì)階段預(yù)留規(guī)劃設(shè)計(jì)出一個(gè)激光蓋印區(qū)域，為激光蓋印提供一個(gè)合適的載體，從而解決因覆晶封裝芯片尺寸變小而無法滿足激光蓋印要求的趨勢(shì)，改善在傳統(tǒng)蓋印在覆晶封裝芯片的晶背面時(shí)產(chǎn)生硅微粒殘削問題，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明覆晶封裝結(jié)構(gòu)的平面圖。

圖2是圖1所示的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

如圖1-2所示，本發(fā)明覆晶封裝結(jié)構(gòu)100包括柔性電路板（film/tape）（未標(biāo)號(hào)）和設(shè)置在該柔性電路板上的芯片40（chip，IC）。所述芯片40與柔性電路板電性連接。所述柔性電路板包括基層10、設(shè)置在基層10上的線路層20及設(shè)置在線路層20上的保護(hù)層30。所述芯片40與線路層20電性連接，以使得芯片40與柔性電路板電性連接。所述柔性電路板上形成有預(yù)留的激光蓋印區(qū)域50，所述激光蓋印區(qū)域50設(shè)置在保護(hù)層30范圍內(nèi)，包含基層10及線路層20，所述激光蓋印區(qū)域50無電性功能，即為無電性功能區(qū)域（dummy pattern）。

所述基層10是柔性基材（ base film/ Polyimide，PI），所述線路層20布局在基層10上。所述線路層20是銅質(zhì)材料（copper，Cu）制造而成，所述線路層20上鍍有錫（Tin ，Sn）。所述保護(hù)層30由綠漆（solder resist ，SR）涂布形成，用來保護(hù)線路層20，防止線路層20氧化斷裂等。所述激光蓋印區(qū)域50在設(shè)計(jì)階段預(yù)留，所述激光蓋印區(qū)域50無電性功能，即不會(huì)與內(nèi)部及外部電路形成電性連接。

所述激光蓋印區(qū)域50的面積大于0.05平方毫米，以留下充分的空間進(jìn)行激光蓋印。所述激光蓋印區(qū)域50形狀可設(shè)計(jì)為規(guī)則形狀，所述規(guī)則形狀是對(duì)稱的圖形，如矩形、對(duì)稱的三角形、對(duì)稱的橢圓等。所述激光蓋印區(qū)域50形狀也可設(shè)計(jì)為不規(guī)則形狀，如不規(guī)則的多邊形。