[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310728310.0
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN103730472A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 舒適;谷敬霞;徐傳祥;齊永蓮;姚琪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/13357;H01L27/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

近年來，隨著科技的發展，液晶顯示器技術也隨之不斷完善。薄膜場效應晶體管液晶顯示裝置（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD）以其圖像顯示品質好、能耗低、環保等優勢占據著顯示器領域的重要位置。近幾年興起的基于有機發光二極管（Organic?Light-Emitting?Diode，簡稱OLED）的顯示技術也日益成熟，其構造簡單，厚度薄，響應速度快，可以實現更加豐富的色彩。

其中，TFT-LCD或OLED都依靠其內部設置的紅色濾色層、綠色濾色層、以及藍色濾色層等彩色濾色層的濾光作用，將光源發出的白光分別轉化為紅、綠、藍等單色光，不同顏色的彩色濾色層分別透射對應顏色波段的光，從而實現TFT-LCD或OLED的彩色顯示。

發明人在實現本發明的過程中發現，若需要擴大LCD或OLED的色域范圍，就得提高彩色濾色層的色彩純度，這樣會降低彩色濾色層的透光率。為了保證TFT-LCD或OLED的顯示亮度，還需要提高光源的出光強度，導致TFT-LCD或OLED功耗的增加。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠在不增加顯示裝置的功耗的同時，提高顯示裝置的色域范圍、透光率。

為解決上述技術問題，本發明陣列基板及其制作方法、顯示裝置采用如下技術方案：

本發明的第一方面提供了一種陣列基板，包括陣列式排布的薄膜晶體管單元，還包括位于所述薄膜晶體管單元之上的量子點層，所述量子點層包括至少三種量子點，任一種量子點受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發出對應波段的光。

進一步的，所述量子點層包括紅色量子點區域、藍色量子點區域和綠色量子點區域。

進一步的，所述量子點層中的量子點為半導體納米晶體，至少由鋅、鎘、硒和硫原子組合而成。

進一步的，所述陣列基板依次包括：襯底基板、薄膜晶體管單元、第一絕緣層、第二絕緣層、量子點層和第一導電層，其中，所述第一絕緣層包括第一過孔，所述第二絕緣層包括第二過孔，所述量子點層包括第三過孔，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔相通，所述第一導電層通過所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔連接到所述薄膜晶體管單元的漏極。

進一步的，所述陣列基板還包括彩色濾色層，所述彩色濾色層與所述量子點層相比，遠離所述陣列基板的入光處，其中，所述彩色濾色層包括紅色區域、藍色區域和綠色區域，所述紅色區域對應于所述量子點層的紅色量子點區域設置，所述藍色區域對應于所述量子點層的藍色量子點區域設置，所述綠色區域對應于所述量子點層的綠色量子點區域設置。

進一步的，所述陣列基板還包括第二導電層，以及位于所述第一導電層和所述第二導電層之間的第三絕緣層。

進一步的，所述第二導電層為狹縫狀，所述第一導電層為板狀或者為狹縫狀。

進一步的，所述陣列基板還包括位于所述第一導電層上方的第四絕緣層、有機層和第三導電層，所述第四絕緣層具有開口，所述有機層通過所述開口接觸所述第一導電層。

進一步的，所述有機層包括空穴傳輸層、發光層與電子傳輸層。

進一步的，所述陣列基板還包括位于所述薄膜晶體管單元之上的黑矩陣。

在本發明實施例中，顯示裝置提供的白光或其他光線首先進入量子點層，激發量子點層中的量子點發出包括紅光、綠光和藍光在內的混合光，之后混合光進入彩色濾色層，彩色濾色層不同顏色的區域濾出不同顏色的光。由于量子點發出的單色光的色彩純度較高，因此無需提高彩色濾色層的色彩純度，從而在不增加顯示裝置的光源的出光強度的同時，提高了顯示裝置的色域范圍和透光率。

本發明的第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述的任一種陣列基板。

本發明的第三方面提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

形成包括薄膜晶體管單元的各層結構的圖形；

在所述薄膜晶體管單元之上形成包括至少三種量子點的量子點層，其中，任一種量子點受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發出對應波段的光。

進一步的，所述形成包括薄膜晶體管單元的各層結構的圖形之后，還包括：

在所述薄膜晶體管單元之上形成第一絕緣層，對所述第一絕緣層進行構圖工藝，形成對應于所述薄膜晶體管單元的漏極的第一過孔；

在所述第一絕緣層之上形成第二絕緣層，對所述第二絕緣層進行構圖工藝，形成對應于所述第一過孔的突起；