[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201310728310.0 | 申請日: | 2013-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN103730472A | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發明(設計)人: | 舒適;谷敬霞;徐傳祥;齊永蓮;姚琪 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/13357;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括陣列式排布的薄膜晶體管單元,其特征在于,還包括位于所述薄膜晶體管單元之上的量子點層,所述量子點層包括至少三種量子點,任一種量子點受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發出對應波段的光。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述量子點層包括紅色量子點區域、藍色量子點區域和綠色量子點區域。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述量子點層中的量子點為半導體納米晶體,至少由鋅、鎘、硒和硫原子組合而成。
4.根據權利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板依次包括:襯底基板、薄膜晶體管單元、第一絕緣層、第二絕緣層、量子點層和第一導電層,其中,所述第一絕緣層包括第一過孔,所述第二絕緣層包括第二過孔,所述量子點層包括第三過孔,所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔相通,所述第一導電層通過所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔連接到所述薄膜晶體管單元的漏極。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括彩色濾色層,所述彩色濾色層與所述量子點層相比,遠離所述陣列基板的入光處,其中,所述彩色濾色層包括紅色區域、藍色區域和綠色區域,所述紅色區域對應于所述量子點層的紅色量子點區域設置,所述藍色區域對應于所述量子點層的藍色量子點區域設置,所述綠色區域對應于所述量子點層的綠色量子點區域設置。
6.根據權利要求4或5所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括第二導電層,以及位于所述第一導電層和所述第二導電層之間的第三絕緣層。
7.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第二導電層為狹縫狀,所述第一導電層為板狀或者為狹縫狀。
8.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括位于所述第一導電層上方的第四絕緣層、有機層和第三導電層,所述第四絕緣層具有開口,所述有機層通過所述開口接觸所述第一導電層。
9.根據權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述有機層包括空穴傳輸層、發光層與電子傳輸層。
10.根據權利要求9所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括位于所述薄膜晶體管單元之上的黑矩陣。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-10任一項所述的陣列基板。
12.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成包括薄膜晶體管單元的各層結構的圖形;
在所述薄膜晶體管單元之上形成包括至少三種量子點的量子點層,其中,任一種量子點受到來自所述陣列基板的入光處的光照激發出對應波段的光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





