[發明專利]一種用于半導體晶片吸取的機構運動控制方法

無效

• 申請號: 201310725809.6
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN103659813A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 解彬;王云峰;金元甲
• 申請（專利權）人: 大連佳峰電子有限公司
• 主分類號: B25J9/16
• 分類號: B25J9/16;B25J15/06;H01L21/67
• 代理公司: 大連星海專利事務所 21208
• 代理人: 徐雪蓮

技術領域

本發明涉及一種機械運動控制方法，尤其是一種用于半導體晶片吸取的機構運動控制方法。

背景技術

在半導體裝片設備中的主要功能就是粘、取晶片。其中取晶片的過程要靠突上機構與抓取機構配合來實現。

現行的突上機構和抓取機構的動作控制順序是：首先突上機構開啟真空，吸住承托有晶片的晶盤；之后突上機構控制突上針上升頂出，把晶片從晶盤上分離；然后抓取機構下降到晶片上方，開啟真空并吸住晶片，最后突上針下降并關閉真空，抓取機構保持真空上升移走。

這種取晶片的動作控制順序產生的問題是，當突上針把晶片從晶盤上分離后，僅有突上針的針尖與晶片接觸，相當于只由一個高副控制，六個自由度僅限制住了一個，而抓取機構下降需要一段時間，這時晶片很有可能偏離原先的位置，并且方向不可預測。抓片機構是靠真空方式抓取晶片，當晶片稍有偏移就會產生抓取機構無法把晶片吸住或晶片與抓取頭產生摩擦導損壞晶片等問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種用于半導體晶片吸取的機構運動控制方法，該方法操作簡單，它能提高晶片吸取成功率且可有效防止晶片受損的。

本發明解決現有技術問題所采用的技術方案：一種用于半導體晶片吸取的機構運動控制方法，包括用于頂出晶片的突上機構和用于吸附晶片的抓取機構；所述抓取機構內包括直線電機，并通過該直線電機控制抓取機構在縱向上做勻速運動；所述突上機構內設有伺服電機，并通過該伺服電機控制突上機構的突上針在縱向上的運動；所述突上機構中的伺服電機的輸出端通過與凸輪相連，使突上機構中突上針做縱向勻速運動；所述運動控制方法包括如下步驟：

A)??將突上機構開啟真空，以吸住導向罩上承托有晶片的晶盤；

B）?控制抓取機構使抓取頭下降到晶片上方并將抓取機構開啟真空；

C）?控制突上機構的突上針向上勻速頂出，同時控制抓取機構使抓取頭隨之勻速上升，通過調整程序參數使所述抓取頭的運動速度與突上針的運動速度相同，且始終保持與晶片的距離不變，直至突上針將晶片從晶盤上分離并被抓取頭吸住；

D）抓取機構的抓取頭吸住晶片后繼續上升移動，突上機構控制突上針下降并關閉真空。

本發明的有益效果在于：本發明通過對突上機構的結構上由現有技術中通過伺服電機帶動偏心輪控制突上針的升降改進為通過伺服電機帶動凸輪控制突上針的升降，改變了現有技術的突上針無法實現勻速運動的缺陷。進而對抓取機構與突上機構取晶片的動作控制順序的改進，本發明取消了晶片同晶盤分離后的停留時間，在晶片剛與晶盤分離時就被抓取機構吸走，避免了晶片被頂出后因為欠定位而導致偏離原先位置的情況，解決了因其產生的“抓取機構無法把晶片吸住”和“晶片與抓取頭產生摩擦導損壞晶片”的問題。本發明有效地提升取晶片的成功率，同時降低生產成本，減少停機次數，提高生產效率。

附圖說明

圖1是本發明的局部零部件示意圖。

圖2是本發明步驟一的狀態示意圖。

圖3是本發明步驟二的狀態示意圖。

圖4是本發明步驟三的狀態示意圖。

圖5是本發明步驟四的狀態示意圖。

圖中：1-抓取頭，2-晶片，3-晶盤，4-突上針，5-導向罩。

具體實施方式

以下結合附圖及具體實施方式對本發明進行說明：

圖1是本發明的局部零部件示意圖。一種用于半導體晶片吸取的機構運動控制方法，包括用于頂出晶片2的突上機構和用于吸附晶片2的抓取機構；抓取機構內包括直線電機，并通過該直線電機控制抓取機構在縱向上做勻速運動；突上機構內設有伺服電機，突上機構中的伺服電機的輸出端通過與凸輪相連使突上機構中突上針做縱向勻速運動。

一種用于半導體晶片吸取的機構運動控制方法包括如下步驟：

步驟一：如圖2所示，將突上機構開啟真空，以吸住導向罩5上承托有晶片2的晶盤3。

步驟二：如圖3所示，控制抓取機構使抓取頭1下降到晶片2的上方并開啟真空。

步驟三：如圖4所示，控制突上機構的突上針4向上頂出，同時控制抓取機構使抓取頭1隨之上升，并通過調整半導體裝片設備中對于突上機構和抓取機構的程序參數使抓取頭1的運動速度與突上針4的運動速度相同，且始終保持與晶片2的距離不變，直至突上針4將晶片2從晶盤3上分離并被抓取頭1吸住。

步驟四：如圖5所示，抓取機構的抓取頭1吸住晶片2繼續上升移動，突上機構控制突上針4下降并將突上機構關閉真空。