[發明專利]步進石英舟在審
| 申請號: | 201310724124.X | 申請日: | 2013-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN104733360A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發明(設計)人: | 陳瑜;王黎;陳華倫 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁紀鐵 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 步進 石英 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路制造領域,特別是涉及爐管摻雜或氧化中普遍使用的石英舟。
背景技術
現有6英寸及以下擴散臥式爐管中使用的石英舟,舟齒多為等間距的,這樣會導致摻雜或氧化后爐管內里中口三段均勻性會有較大差異,主要體現為爐里摻雜濃度高或氧化速率快,到爐口摻雜濃度逐漸降低或氧化速率慢。造成此問題的原因是摻雜用的雜質源或氧化用的氧氣是從爐管尾部(即爐里位置)往爐管里面通的。爐管尾部的雜質或氧氣氛圍濃度就會比爐管口部要濃一些,所以會導致爐里摻雜濃度要高于爐口,或爐里氧化速率比爐口快。
另外,普通石英舟的舟槽都是垂直方向的,由于舟槽的寬度大于晶圓的厚度,因此晶圓放在石英舟里面并不是完全垂直的,會有一定的傾斜,隨著石英舟的使用,舟槽的寬度會有一定程度的增大。當舟槽寬度增大后,裝在石英舟上的晶圓的傾斜度也會增大,相鄰的晶圓如果傾斜到一定程度,晶圓上面就容易搭到一起。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種步進石英舟,它可以提高爐管不同區域摻雜或氧化的均勻性。
為解決上述技術問題,本發明的步進石英舟采用步進式結構,石英舟的舟槽間距由爐管內里到爐口逐漸增大。
本發明通過調整石英舟的舟槽間距,確保了石英舟上裝載的晶圓在爐管的不同位置都能與外界氛圍充分接觸,從而改善了爐管內里和爐口的摻雜或氧化的一致性;同時舟槽與垂直方向成一定角度傾斜,避免了相鄰晶圓搭片,進一步保證了爐管摻雜或氧化的均勻性。
附圖說明
圖1是常規的等間距舟槽的石英舟結構圖。圖中的X表示舟槽間距。
圖2是本發明的步進石英舟結構圖。圖中的X表示舟槽間距。
具體實施方式
為對本發明的技術內容、特點與功效有更具體的了解,現結合附圖,詳述如下:
為了抵消爐管內濃度氛圍對摻雜濃度的影響,本發明對裝載晶圓的石英舟的舟槽間距進行了重新設計,石英舟在爐里的部分保持較小的舟槽間距,越到爐口位置,舟槽間距越大。
圖2顯示了本發明一實施例的石英舟結構。該石英舟采用步進式的結構,共有108個舟槽,可放100枚晶圓,石英舟兩邊的位置用擋片補齊。該石英舟以第1個舟槽為基準,前24個舟槽保持等間距,從第25個舟槽開始,槽間距以0.03mm成等差數列遞增。所有舟槽均與垂直方向成4度角傾斜,以防止相鄰的晶圓之間搭片。
石英舟的結構經過上述改進后,可以使爐口位置的晶圓更充分地與摻雜源或氧氣進行接觸,這樣就改善了爐口和爐里的摻雜或氧化的均勻性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





