[發(fā)明專利]靜電感應(yīng)晶體管的制造方法以及靜電感應(yīng)晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310724101.9
• 申請(qǐng)日: 2013-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN103745927B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏星;陳達(dá);薛忠營;狄增峰;方子韋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/335
• 分類號(hào): H01L21/335;H01L29/772
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)31218
• 代理人: 孫佳胤,翟羽

1.一種靜電感應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供導(dǎo)電類型為N型的硅襯底；

在所述硅襯底的一背面形成磷摻雜層，用于形成歐姆接觸層；

在所述硅襯底的一正面形成導(dǎo)電類型為P型的柵墻和柵條；

采用一鍵合襯底與所述硅襯底的正面鍵合，所述鍵合襯底的導(dǎo)電類型為N型；

在所述鍵合襯底中形成通孔，以暴露出所述柵墻用于制作引出電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電感應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，所述形成磷摻雜層的步驟進(jìn)一步包括：

同時(shí)在所述硅襯底的正面形成第一覆蓋層，背面形成第二覆蓋層；

去除背面的所述第二覆蓋層；

在背面形成磷摻雜層，正面保留的第一覆蓋層繼續(xù)用作后續(xù)形成柵墻和柵條的摻雜阻擋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電感應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，所述形成柵墻和柵條的步驟進(jìn)一步包括：

圖形化所述第一覆蓋層；

以所述第一覆蓋層為阻擋層，在硅襯底中形成導(dǎo)電類型為P型的柵墻和柵條；

去除所述第一覆蓋層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電感應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，以所述第一覆蓋層為阻擋層，在硅襯底中形成導(dǎo)電類型為P型的柵墻和柵條的步驟中，進(jìn)一步是采用注入或者擴(kuò)散的方法形成導(dǎo)電類型為P型的柵墻和柵條。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電感應(yīng)晶體管的制造方法，其特征在于，在采用一鍵合襯底與所述硅襯底的第一表面鍵合的步驟實(shí)施完畢之后，進(jìn)一步包括一減薄所述鍵合襯底的步驟。

6.一種靜電感應(yīng)晶體管，包括N型的硅襯底和硅襯底表面的N型覆蓋層，P型導(dǎo)電類型的柵墻以及P型導(dǎo)電類型的柵條設(shè)置在硅襯底內(nèi)，其特征在于，所述硅襯底和覆蓋層之間的界面為鍵合界面，所述硅襯底在與所述覆蓋層相對(duì)的另一表面具有磷摻雜層。