[發明專利]軟基材雙面鍍膜裝置

有效

• 申請號: 201310722396.6
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN103741121A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 陳立國;李海燕;呂旭東;張受業;陳偉岸;賀艷;趙萌;朱惠欽
• 申請（專利權）人: 北京北印東源新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/54
• 代理公司: 北京慶峰財智知識產權代理事務所(普通合伙) 11417
• 代理人: 劉元霞

技術領域

本發明涉及氣體放電技術領域，具體而言，涉及一種軟基材雙面鍍膜裝置。

背景技術

PECVD借助于氣體輝光放電產生的低溫等離子體，增強反應位置的化學活性。促進了氣體間的化學反應，從而在低溫下也能在基材上形成固體膜。固體膜可以敷在軟基材、或片式基材上。固態薄膜沉積在基膜上以高其阻隔性。固態薄膜在沉積的過程中，單面沉積薄膜的阻隔性要明顯低于雙面沉積的薄膜的阻隔性。通常以12um厚度PET薄膜（耐高溫聚酯薄膜）為例，氧氣透過率(Oxygen?Transmission?Rate,簡稱OTR,透氧率)為128cc/m².day以上；其WVTR（水蒸汽透過率）為32.9cc/m².day以上。在PET薄膜上蒸鍍單層SiO_X薄膜，其OTR可降低為3cc/m².day以下；其WVTR為5cc/m².day以下。而通過單面多層蒸鍍的SiO_X薄膜,其OTR可降低到2cc/m².day以下；其WVTR為2cc/m².day以下。而采用雙面分別單層蒸鍍的SiO_X薄膜，其OTR可降低為0.5cc/m².day以下；其WVTR為0.5cc/m².day以下。單面沉積多層薄膜后，其阻隔性下降不明顯。而采用雙面多層沉積的薄膜，阻隔性下降明顯。一般的鍍膜設備可以實現單面鍍膜，要想實現雙面鍍膜，只能再把鍍一面膜的基材放到設備中間，在薄膜的另一面上沉積薄膜。兩次鍍膜中存在薄膜被多次拉伸的情況，導致第一次沉積的薄膜出現表面摩擦、局部脫落、表面裂紋等問題，以至于導致整體薄膜的阻隔性下降。

發明內容

本發明旨在提供一種軟基材雙面鍍膜裝置，能夠實現軟基材的雙面鍍膜，防止軟基材表面薄膜出現表面摩擦、局部脫落、表面裂紋等問題，保證整體薄膜的阻隔性。

為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種軟基材雙面鍍膜裝置，包括：預處理室，待鍍膜軟基材設置在預處理室內；鍍膜室，設置在預處理室的出料口，鍍膜室內設置有放電電極對，放電電極對包括相對設置的第一放電電極和第二放電電極，待鍍膜軟基材穿設在第一放電電極和第二放電電極之間，并由第一放電電極和第二放電電極進行雙面鍍膜；收料室，設置在鍍膜室的出料口，并收集鍍膜后的軟基材。

進一步地，軟基材雙面鍍膜裝置還包括導向輪，軟基材繞設在導向輪上，軟基材與導向輪之間的包角小于或等于90度。

進一步地，導向輪為多個，多個導向輪兩兩為一組，多組導向輪上下間隔并依次錯位設置。

進一步地，放電電極對為多組，相鄰的兩組導向輪之間設置有至少一組放電電極對。

進一步地，第一放電電極和第二放電電極平行設置，第一放電電極包括朝向第二放電電極的第一匯流電極，第二放電電極包括朝向第一放電電極的第二匯流電極，第一匯流電極和第二匯流電極上分別具有對應設置的放電突起。

進一步地，第一匯流電極上設置有第一放電突起、第二放電突起和第三放電突起，第二匯流電極上設置有與第一放電突起對應設置的第四放電突起、與第二放電突起對應設置的第五放電突起以及與第三放電突起對應設置的第六放電突起。

進一步地，鍍膜室的側壁上設置有通氣口，通氣口朝向相鄰的兩個突起之間。

進一步地，對應設置的放電突起之間的間距為10至70mm。

進一步地，預處理室、鍍膜室和收料室之間為真空密封連接。

進一步地，軟基材雙面鍍膜裝置還包括用于對預處理室、鍍膜室和/或收料室抽真空的排氣裝置。

應用本發明的技術方案，軟基材雙面鍍膜裝置包括：預處理室，待鍍膜軟基材設置在預處理室內；鍍膜室，設置在預處理室的出料口，鍍膜室內設置有放電電極對，放電電極對包括相對設置的第一放電電極和第二放電電極，待鍍膜軟基材穿設在第一放電電極和第二放電電極之間，并由第一放電電極和第二放電電極進行雙面鍍膜；收料室，設置在鍍膜室的出料口，并收集鍍膜后的軟基材。在對軟基材進行鍍膜時，第一放電電極和第二放電電極可以同時對待鍍膜軟基材的兩個相對側進行鍍膜，避免了多次鍍膜所帶來的軟基材表面薄膜出現表面摩擦、局部脫落、表面裂紋等問題，使得軟基材表面可以形成高阻隔性薄膜，并可以提高成膜效率。

附圖說明