[發明專利]軟基材雙面鍍膜裝置有效
| 申請號: | 201310722396.6 | 申請日: | 2013-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN103741121A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | 陳立國;李海燕;呂旭東;張受業;陳偉岸;賀艷;趙萌;朱惠欽 | 申請(專利權)人: | 北京北印東源新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/513 | 分類號: | C23C16/513;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京慶峰財智知識產權代理事務所(普通合伙) 11417 | 代理人: | 劉元霞 |
| 地址: | 101407 北京市懷柔*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基材 雙面 鍍膜 裝置 | ||
1.一種軟基材雙面鍍膜裝置,其特征在于,包括:
預處理室(10),待鍍膜軟基材(50)設置在所述預處理室(10)內;
鍍膜室(20),設置在所述預處理室(10)的出料口,所述鍍膜室(20)內設置有放電電極對(40),所述放電電極對(40)包括相對設置的第一放電電極(41)和第二放電電極(42),所述待鍍膜軟基材(50)穿設在所述第一放電電極(41)和所述第二放電電極(42)之間,并由所述第一放電電極(41)和所述第二放電電極(42)進行雙面鍍膜;
收料室(30),設置在所述鍍膜室(20)的出料口,并收集鍍膜后的所述軟基材(50)。
2.根據權利要求1所述的軟基材雙面鍍膜裝置,其特征在于,所述軟基材雙面鍍膜裝置還包括導向輪(60),所述軟基材(50)繞設在所述導向輪(60)上,所述軟基材(50)與所述導向輪(60)之間的包角小于或等于90度。
3.根據權利要求2所述的軟基材雙面鍍膜裝置,其特征在于,所述導向輪(60)為多個,所述多個導向輪(60)兩兩為一組,多組所述導向輪(60)上下間隔并依次錯位設置。
4.根據權利要求3所述的軟基材雙面鍍膜裝置,其特征在于,所述放電電極對(40)為多組,相鄰的兩組所述導向輪(60)之間設置有至少一組所述放電電極對(40)。
5.根據權利要求1所述的軟基材雙面鍍膜裝置,其特征在于,所述第一放電電極(41)和所述第二放電電極(42)平行設置,所述第一放電電極(41)包括朝向所述第二放電電極(42)的第一匯流電極,所述第二放電電極(42)包括朝向所述第一放電電極(41)的第二匯流電極,所述第一匯流電極和所述第二匯流電極上分別具有對應設置的放電突起。
6.根據權利要求5所述的軟基材雙面鍍膜裝置,其特征在于,所述第一匯流電極上設置有第一放電突起(411)、第二放電突起(412)和第三放電突起(413),所述第二匯流電極上設置有與所述第一放電突起(411)對應設置的第四放電突起(421)、與所述第二放電突起(412)對應設置的第五放電突起(422)以及與所述第三放電突起(413)對應設置的第六放電突起(423)。
7.根據權利要求6所述的軟基材雙面鍍膜裝置,其特征在于,所述鍍膜室(20)的側壁上設置有通氣口(43),所述通氣口(43)朝向相鄰的兩個所述突起之間。
8.根據權利要求5至7中任一項所述的軟基材雙面鍍膜裝置,其特征在于,對應設置的放電突起之間的間距為10至70mm。
9.根據權利要求1至7中任一項所述的軟基材雙面鍍膜裝置,其特征在于,所述預處理室(10)、所述鍍膜室(20)和所述收料室(30)之間為真空密封連接。
10.根據權利要求1至7中任一項所述的軟基材雙面鍍膜裝置,其特征在于,所述軟基材雙面鍍膜裝置還包括用于對所述預處理室(10)、所述鍍膜室(20)和/或所述收料室(30)抽真空的排氣裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





