[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 201310722167.4
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN104078493A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 末代知子;小倉常雄;押野雄一
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/47
• 分類號: H01L29/47;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;胡建新

1.一種半導體裝置，具備：

第一電極；

第一導電型的第一半導體區域，設在上述第一電極之上，具有第一雜質濃度；

第一導電型的第二半導體區域，設在上述第一半導體區域之上，具有比上述第一雜質濃度高的第二雜質濃度；

第二導電型的第三半導體區域，設在上述第二半導體區域之上，具有第三雜質濃度；

第二導電型的第四半導體區域，設在上述第二半導體區域之上，具有比上述第三雜質濃度低的第四雜質濃度；

第二電極，設在上述第三半導體區域及上述第四半導體區域之上，與上述第三半導體區域歐姆接觸；以及

第一中間金屬膜，設在上述第二電極與上述第四半導體區域之間，與上述第四半導體區域進行肖特基接合。

2.如權利要求1所記載的半導體裝置，

該半導體裝置還具備絕緣體，該絕緣體設在上述第三半導體區域與上述第四半導體區域之間，比上述第三半導體區域的深度及上述第四半導體區域的深度都深。

3.如權利要求2所記載的半導體裝置，

上述絕緣體是SiO₂。

4.如權利要求1所記載的半導體裝置，

該半導體裝置還具備：

導電體，設在上述第三半導體區域與上述第四半導體區域之間，與上述第二電極電連接，比上述第三半導體區域的深度及上述第四半導體區域的深度都深；以及

絕緣膜，設在上述導電體與上述第三半導體區域之間、上述導電體與上述第四半導體區域之間、以及上述導電體與上述第二半導體區域之間。

5.如權利要求4所記載的半導體裝置，

上述導電體是多晶硅，

上述絕緣膜是SiO₂。

6.如權利要求1所記載的半導體裝置，

上述第四半導體區域具有設在上述第二半導體區域與上述第三半導體區域之間的第一部分，

上述第一部分的與上述第二半導體區域之間的邊界部分以朝向上述第二半導體區域凸起的方式彎曲。

7.如權利要求1所記載的半導體裝置，

上述第一中間金屬膜的材料的功函數比上述第二電極的材料的功函數大。

8.如權利要求1所記載的半導體裝置，

該半導體裝置還具備：

第一導電型的第五半導體區域，設在上述第一電極之上，具有比上述第一雜質濃度低并比上述第二雜質濃度高的第五雜質濃度；以及

第二中間金屬膜，設在上述第一電極與上述第五半導體區域之間，與上述第五半導體區域進行肖特基接合。

9.如權利要求8所記載的半導體裝置，

上述第一電極含有鋁，

上述第二中間金屬膜含有鈦及鎢的某個。

10.如權利要求1所記載的半導體裝置，

上述第二電極含有鋁，

上述第一中間金屬膜含有鈦及鎢的某個。

11.如權利要求8所記載的半導體裝置，

上述第二中間金屬膜的材料的功函數比上述第一電極的材料的功函數大。

12.一種半導體裝置，具備：

第一電極；

第一導電型的第一半導體區域，設在上述第一電極之上，具有第一雜質濃度；

第一導電型的第二半導體區域，設在上述第一半導體區域之上，具有比上述第一雜質濃度高的第二雜質濃度；

第二導電型的第三半導體區域，設在上述第二半導體區域之上，具有第三雜質濃度；

第二導電型的第四半導體區域，設在上述第二半導體區域之上，具有比上述第三雜質濃度低的第四雜質濃度；

第二電極，設在上述第三半導體區域及上述第四半導體區域之上，與上述第三半導體區域歐姆接觸；

第一導電型的第五半導體區域，設在上述第一電極之上，具有比上述第一雜質濃度低且比上述第二雜質濃度高的第五雜質濃度；以及

第二中間金屬膜，設在上述第一電極與上述第五半導體區域之間，與上述第五半導體區域進行肖特基接合。

13.如權利要求12所記載的半導體裝置，

上述第一電極含有鋁，

上述第二中間金屬膜含有鈦及鎢的某個。