[發明專利]氧化鋅/聚吡咯納米復合電阻型薄膜氣體傳感器及其制作方法

有效

• 申請號: 201310720149.2
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103713019A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 范開成;李揚;朱理智;楊慕杰
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.氧化鋅/聚吡咯納米復合電阻型薄膜氣體傳感器，其特征在于：它具有陶瓷基體⑴，在陶瓷基體表面光刻和蒸發有多對叉指金電極⑵，在叉指金電極上連接有引線⑷，在陶瓷基體和叉指金電極表面有氣敏薄膜⑶，該氣敏薄膜為具有納米片層結構的氧化鋅與聚吡咯的納米復合物。

2.根據權利要求1所述的氧化鋅/聚吡咯納米復合電阻型薄膜氣體傳感器，其特征在于所說的納米片層的厚度為20～500納米。

3.根據權利要求1所述的氧化鋅/聚吡咯納米復合電阻型薄膜氣體傳感器，其特征在于所述的叉指金電極為5～20對，叉指金電極的叉指寬度為20～400μm，叉指間隙為20～400μm。

4.制作權利要求1所述的氧化鋅/聚吡咯納米復合電阻型薄膜氣體傳感器的方法，其特征在于包括以下步驟：

（1）清洗表面光刻和蒸發有叉指金電極的陶瓷基片，烘干備用；

（2）在步驟（1）的具有陶瓷基底的叉指金電極表面涂覆濃度為?0.05～0.5摩爾/升的氧化鋅納米膠體溶液，80～230℃下加熱2?h，將叉指金電極表面朝下，水平浸入硝酸鋅和六亞甲基四胺的水溶液中，水溶液中硝酸鋅的濃度為0.01～0.05摩爾/升，六亞甲基四胺的濃度為0.01～0.05摩爾/升，在80～100℃下反應4～10小時，再以去離子水充分洗滌，于100℃下干燥，獲得生長有氧化鋅納米棒的叉指金電極；

（3）配制氯化銅和吡咯的異丙醇溶液，其中氯化銅的濃度為0.01～0.1?摩爾/升，吡咯的濃度為0.01～0.1摩爾/升，溶液靜置15～60分鐘后，以直徑為0.22微米的微孔濾膜過濾，將步驟（2）中制得的生長有氧化鋅納米棒的叉指金電極浸入所得濾液中，放置5～240分鐘后，將叉指金電極取出，依次用丙酮和去離子水洗滌，于80～120℃下熱處理0.5～2小時，得到氧化鋅/聚吡咯納米復合電阻型薄膜氣體傳感器。

5.根據權利要求4所述的氧化鋅/聚吡咯納米復合電阻型薄膜氣體傳感器的制作方法，其特征在于步驟（2）中的氧化鋅納米膠體溶液的溶劑為乙醇或者N,N-二甲基甲酰胺，氧化鋅粒子的直徑為10～150納米。