[發(fā)明專利]沉積源以及具有其的沉積設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310718402.0 | 申請日: | 2013-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN104131253B | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙炫來;奇錫 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強(qiáng);韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 以及 具有 設(shè)備 | ||
提供了一種沉積源。所述沉積源包括:坩堝,容納沉積材料并使沉積材料蒸發(fā);網(wǎng)格構(gòu)件,設(shè)置在坩堝中并與沉積材料分隔開預(yù)定的距離,網(wǎng)格構(gòu)件包括通過網(wǎng)格構(gòu)件形成的多個開口;格子構(gòu)件,在坩堝中設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上以將網(wǎng)格構(gòu)件劃分成多個格子區(qū)域;多個熱球,設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上并填充格子區(qū)域;以及蓋,設(shè)置在坩堝上以覆蓋坩堝,蓋包括噴射孔以噴射蒸發(fā)的沉積材料。還提供了一種沉積設(shè)備,所述沉積設(shè)備包括:真空室,真空室包圍沉積源;基底;以及基底支撐件。
本申請參考先前于2013年5月2日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局并適時地被指定序號為10-2013-0049517的針對“DEPOSITION SOURCE AND DEPOSITION APPARATUS HAVING THESAME(沉積源以及具有其的沉積設(shè)備)”的申請、將該申請包含于此并且要求該申請的所有權(quán)益。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種沉積源和一種具有沉積源的沉積設(shè)備。
背景技術(shù)
近年來,由于有機(jī)發(fā)光顯示器具有優(yōu)異的亮度和視角,并且不需要包括單獨(dú)的光源,而液晶顯示器需要背光,因此有機(jī)發(fā)光顯示器作為下一代顯示裝置受到關(guān)注。因此,有機(jī)發(fā)光顯示器具有纖薄和重量輕的優(yōu)點(diǎn)。另外,有機(jī)發(fā)光顯示器具有例如響應(yīng)速度快、功耗低、亮度高等其他有利的性質(zhì)。
通常,有機(jī)發(fā)光顯示器包括具有陽極、有機(jī)發(fā)光層和陰極的有機(jī)發(fā)光裝置。空穴和電子分別通過陽極和陰極注入到有機(jī)發(fā)光層中,并且在有機(jī)發(fā)光層中復(fù)合以產(chǎn)生激子(電子-空穴對)。激子以光的形式放出能量,其中,光是在激子從激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時而釋放的。
陽極和陰極通常由薄金屬層或薄透明導(dǎo)電層形成。有機(jī)發(fā)光層由至少一個有機(jī)薄層形成。為了在有機(jī)發(fā)光顯示器上形成有機(jī)薄層和金屬薄層,使用沉積設(shè)備。沉積設(shè)備包括填充有沉積材料的坩堝和用于噴射沉積材料的噴嘴。當(dāng)將坩堝加熱至預(yù)定的溫度時,坩堝中的沉積材料蒸發(fā),通過噴嘴噴射蒸發(fā)的沉積材料。在基底上通過噴嘴噴射沉積材料,由此形成薄膜層。
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了一種能夠在基底上均勻地沉積薄層的沉積源。
本公開還提供了一種包括該沉積源的沉積設(shè)備。
發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種沉積源,所述沉積源包括:坩堝,容納沉積材料并使沉積材料蒸發(fā);網(wǎng)格構(gòu)件,設(shè)置在坩堝中并與沉積材料分隔開預(yù)定的距離,網(wǎng)格構(gòu)件包括通過其形成的多個開口;格子構(gòu)件,在坩堝中設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上以將網(wǎng)格構(gòu)件劃分成多個格子區(qū)域;多個熱球,設(shè)置在網(wǎng)格構(gòu)件上并填充格子區(qū)域;以及蓋,設(shè)置在坩堝上以覆蓋坩堝,蓋包括噴射孔以噴射蒸發(fā)的沉積材料。
熱球均可以具有大于開口的最短尺寸的直徑,熱球的直徑在從大約1mm至大約3mm的范圍。熱球可以由具有大約700攝氏度或更高的熔點(diǎn)的碳化硅纖維形成。
所述網(wǎng)格構(gòu)件還可以包括:側(cè)表面部分,具有環(huán)形形狀,并且與坩堝的內(nèi)壁接觸;以及網(wǎng)格網(wǎng),連接到側(cè)表面部分的內(nèi)側(cè)表面的下部并設(shè)置為面向沉積材料,開口通過網(wǎng)格網(wǎng)形成。
所述格子構(gòu)件可以包括:多個第一格子構(gòu)件,沿著第一方向延伸,并且布置為沿著第一水平維度以規(guī)則的間隔彼此分隔開;以及多個第二格子構(gòu)件,沿著與第一方向交叉的第二方向延伸,并且布置為沿著第二水平維度以規(guī)則的間隔彼此分隔開,第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件將網(wǎng)格網(wǎng)劃分成格子區(qū)域。
第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件具有比側(cè)表面部分的高度高的高度。第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的側(cè)表面的下部連接到側(cè)表面部分的內(nèi)側(cè)表面,第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的下表面連接到網(wǎng)格網(wǎng)。
熱球可以設(shè)置到網(wǎng)格網(wǎng)并且彼此堆疊以到達(dá)第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的頂部,堆疊的熱球的高度對應(yīng)于第一格子構(gòu)件和第二格子構(gòu)件的高度。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
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