[發明專利]一種低輻射玻璃的制作方法

無效

• 申請號: 201310718118.3
• 申請日: 2013-12-21
• 公開（公告）號: CN103771726A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 魏佳坤
• 申請（專利權）人: 揭陽市宏光鍍膜玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286
• 代理人: 吳劍鋒

技術領域

本發明涉及一種低輻射玻璃的制作方法。

背景技術

低輻射玻璃是指對紅外輻射具有高反射率，對可見光具有良好透射率的平板鍍膜玻璃。低輻射玻璃具有良好的透光、保溫、隔熱性能，廣泛應用于窗戶、爐門、冷藏柜門等地方。

現有的低輻射玻璃其強度不夠很容易遭受損壞，影響正常的使用，不能滿足使用者的需求，故此，現有的低輻射玻璃有待于進步完善。

發明內容

本發明的目的是為了克服現有技術中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產成本相對較低的低輻射玻璃的制作方法。

為了達到上述目的，本發明采用以下方案：

一種低輻射玻璃的制作方法,其特征在于包括以下步驟：

A、采用氬氣作為反應氣體，交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO₂介質層；

B、采用氮氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中TiO₂介質層上磁控濺射CrNx阻擋層；

C、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟B中的TiO₂介質層上磁控濺射AZO平整層；

D、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中AZO平整層上磁控濺射Ag功能層；

E、采用氮氣作為反應氣體，滲少量氧氣，直流電源濺射，在步驟D中的Ag功能層上磁控濺射(NiCr)xOy層；

F、采用氧氣作為反應氣體，交流中頻電源濺射錫靶，在步驟E中的(NiCr)xOy層上磁控濺射SnO₂保護層；

G、直流電流濺射石墨靶，在步驟F中的SnO₂保護層上磁控濺射C層。

如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟A中所述TiO₂介質層的厚度為10～30nm，濺射功率為30～90KW。

如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟B中CrNx阻擋層的厚度為0.5～2nm，氬氣與氮氣的體積流量比為1：2。

如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟C所述AZO平整層的厚度為5～20nm。

如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟E中所述Ag功能層的厚度為7～10nm。

如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述(NiCr)xOy層的厚度為0.5～5nm。

如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述SnO₂保護層的厚度為20～50nm。

如上所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述C層的厚度為10～20nm。

綜上所述，本發明的有益效果：

本發明工藝方法簡單，操作方便，生產成本相對較低。本發明中(NiCr)_xO_y能提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性。

本發明中C層代替PE保護膜或隔離粉，防止鍍膜玻璃在處理過程中被劃傷；此膜層在鋼化過程中會被完全燃燒，從而不影響鍍膜玻璃的光學性能。

本發明產品特點：透過率達83%，輻射率小于0.08，膜層不易被劃傷。

具體實施方式

下面結合具體實施方式對本發明做進一步描述：

實施例1

本發明一種低輻射玻璃的制作方法,包括以下步驟：

A、采用氬氣作為反應氣體，交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO₂介質層；所述氬氣的氣體流量1000sccm，所述TiO₂介質層的厚度為10nm，濺射功率為30KW；

B、采用氮氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中TiO₂介質層上磁控濺射CrNx阻擋層；所述CrNx阻擋層的厚度為0.5nm，氬氣與氮氣的體積流量比為1：2，即氬氣與氮氣的體積流量比為500sccm：1000sccm；CrNx阻擋層有效防止Ag層被氧化；

C、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟B中的TiO₂介質層上磁控濺射AZO平整層；AZO平整層的厚度為5nm，AZO平整層為Ag層作鋪墊，降低輻射率；

D、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中AZO平整層上磁控濺射Ag功能層；所述Ag功能層的厚度為7nm；