[發明專利]一種低輻射玻璃的制作方法

無效

• 申請號: 201310718118.3
• 申請日: 2013-12-21
• 公開（公告）號: CN103771726A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 魏佳坤
• 申請（專利權）人: 揭陽市宏光鍍膜玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286
• 代理人: 吳劍鋒

1.一種低輻射玻璃的制作方法,其特征在于包括以下步驟：

A、采用氬氣作為反應氣體，交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，在玻璃基板上磁控濺射TiO₂介質層；

B、采用氮氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中TiO₂介質層上磁控濺射CrNx阻擋層；

C、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟B中的TiO₂介質層上磁控濺射AZO平整層；

D、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟C中AZO平整層上磁控濺射Ag功能層；

E、采用氮氣作為反應氣體，滲少量氧氣，直流電源濺射，在步驟D中的Ag功能層上磁控濺射(NiCr)xOy層；

F、采用氧氣作為反應氣體，交流中頻電源濺射錫靶，在步驟E中的(NiCr)xOy層上磁控濺射SnO₂保護層；

G、直流電流濺射石墨靶，在步驟F中的SnO₂保護層上磁控濺射C層。

2.根據權利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟A中所述TiO₂介質層的厚度為10～30nm，濺射功率為30～90KW。

3.根據權利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟B中CrNx阻擋層的厚度為0.5～2nm，氬氣與氮氣的體積流量比為1：2。

4.根據權利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟C所述AZO平整層的厚度為5～20nm。

5.根據權利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于步驟E中所述Ag功能層的厚度為7～10nm。

6.根據權利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述(NiCr)xOy層的厚度為0.5～5nm。

7.根據權利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述SnO₂保護層的厚度為20～50nm。

8.根據權利要求1所述的一種低輻射玻璃的制作方法，其特征在于所述C層的厚度為10～20nm。