[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310717908.X
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103681514A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 崔承鎮;金熙哲;宋泳錫;劉圣烈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/786
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

對于現有氧化物薄膜晶體管（Oxide?TFT），為了提高薄膜晶體管（TFT）的穩定性，TFT采用雙柵（Dual?gate，即兩個柵極）結構。如圖1所示，TFT結構中包括兩個柵極，位于頂部的頂柵1和位于底部的底柵2，頂柵1和底柵2之間是柵絕緣層和氧化物形成的有源層。頂柵1和底柵2同時開啟TFT。雙柵結構相對于單個柵極有如下優勢：溝道在上下兩側分別形成，使得Ion電流增大，相應地可以減少TFT大?。商岣咄高^率）；同時，采用氧化物半導體層時，柵金屬可以在半導體層兩側對氧化物進行遮擋保護，防止外部光射入到半導體層而產生漏電流的現象，進而改善了殘像等不良的發生。

包括這種雙柵結構TFT陣列基板的制作相對于單個柵極結構TFT的陣列基板的制作工藝較復雜，需要增加一層柵極層，因此制作工序相應也需要增加。制作圖1中的TFT的陣列基板需要7次mask（掩膜）工藝（7次mask由下至上分別是：底柵、有源層、頂柵柵絕緣層過孔、頂柵及源漏連接電極、絕緣層及其上過孔、數據線及源極、像素電極，圖1中只示出了頂柵及其以下結構），而且一次mask工藝的制作成本高，導致現有的包括雙柵結構TFT的陣列基板制作工序復雜，且成本高。

發明內容

（一）要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是：如何減少雙柵結構TFT陣列基板的制作工序及制作成本。

（二）技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供了一種陣列基板制作方法，包括步驟：

S1：在襯底基板上形成包括有源層、像素電極及數據線的圖形，使有源層和像素電極位于同一層，且相互連接，數據線位于所述有源層之上；

S2：在有源層、像素電極及數據線的圖形之上形成包括柵絕緣層及其上的至少兩個柵極過孔的圖形，使所述柵極過孔位于所述柵絕緣層上對應有源層周圍且不與所述像素電極和數據線所在區域交疊的區域所述柵極過孔與所述有源層、像素電極及數據線之間均間隔有所述柵絕緣層；

S3：形成包括柵線和至少兩個柵極的圖形，使所述至少兩個柵極連接所述柵線，且分別位于所述至少兩個柵極過孔中。

其中，所述步驟S1具體包括：

在所述襯底基板上依次形成氧化物半導體薄膜和金屬薄膜，通過構圖工藝形成氧化物半導體層和數據線的圖形；

對所述氧化物半導體層上對應所述像素電極的區域進行等離子處理，以形成所述像素電極，所述氧化物半導體層上的其它區域形成有源層，使所述數據線位于有源層之上。

其中，所述步驟S2具體包括：

在有源層、像素電極及數據線的圖形之上形成柵絕緣薄膜；

通過構圖工藝在所述柵絕緣薄膜上對應有源層周圍且不與所述像素電極和數據線所在區域交疊的區域形成至少兩個柵極過孔，使所述柵極過孔與所述有源層、像素電極及數據線之間均間隔有所述柵絕緣層。

其中，所述柵絕緣薄膜的厚度為

其中，所述至少兩個柵極過孔與所述有源層之間的柵絕緣層厚度均為

其中，所述步驟S3中，在形成至少兩個柵極時，至少一個柵極形成柵極延伸部，所述柵極延伸部延伸至所述有源層的上方未被所述數據線覆蓋的區域，且所述柵極延伸部所在區域與所述數據線所在區域不交疊。

其中，所述步驟S2中形成兩個柵極過孔：第一過孔和第二過孔，所述步驟S3中，對于每一個像素單元形成一條柵線及與所述柵線連接的兩個柵極：第一柵極和第二柵極，使所述第一柵極位于所述第一柵極過孔中，使所述第二柵極位于所述第二柵極過孔中。

其中，所述步驟S2中形成兩個柵極過孔：第一過孔和第二過孔，所述步驟S3中，對于每一個像素單元形成兩條柵線：第一柵線和第二柵線，形成兩個柵極：第一柵極和第二柵極，使所述第一柵極連接第一柵線，且位于所述第一柵極過孔中，使所述第二柵極連接第二柵線，且位于所述第二柵極過孔中。

本發明還提供了一種陣列基板，包括：襯底基板、像素電極、有源層、數據線、柵絕緣層及柵金屬層，所述像素電極和有源層位于所述襯底基板之上，且相互連接，所述數據線位于有源層之上，所述柵絕緣層覆蓋在所述襯底基板、像素電極、有源層及數據線之上，所述柵絕緣層上對應有源層周圍且不與所述像素電極和數據線所在區域交疊的區域形成有至少兩個柵極過孔，所述柵極過孔與所述有源層、像素電極及數據線之間均間隔有所述柵絕緣層；