[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310717908.X
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN103681514A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設計）人: 崔承鎮(zhèn);金熙哲;宋泳錫;劉圣烈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/786
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括步驟：

S1：在襯底基板上形成包括有源層、像素電極及數(shù)據(jù)線的圖形，使有源層和像素電極位于同一層，且相互連接，數(shù)據(jù)線位于所述有源層之上；

S2：在有源層、像素電極及數(shù)據(jù)線的圖形之上形成包括柵絕緣層及其上的至少兩個柵極過孔的圖形，使所述柵極過孔位于所述柵絕緣層上對應有源層周圍且不與所述像素電極和數(shù)據(jù)線所在區(qū)域交疊的區(qū)域所述柵極過孔與所述有源層、像素電極及數(shù)據(jù)線之間均間隔有所述柵絕緣層；

S3：形成包括柵線和至少兩個柵極的圖形，使所述至少兩個柵極連接所述柵線，且分別位于所述至少兩個柵極過孔中。

2.如權利要求1所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括：

在所述襯底基板上依次形成氧化物半導體薄膜和金屬薄膜，通過構圖工藝形成氧化物半導體層和數(shù)據(jù)線的圖形；

對所述氧化物半導體層上對應所述像素電極的區(qū)域進行等離子處理，以形成所述像素電極，所述氧化物半導體層上的其它區(qū)域形成有源層，使所述數(shù)據(jù)線位于有源層之上。

3.如權利要求1所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括：

在有源層、像素電極及數(shù)據(jù)線的圖形之上形成柵絕緣薄膜；

通過構圖工藝在所述柵絕緣薄膜上對應有源層周圍且不與所述像素電極和數(shù)據(jù)線所在區(qū)域交疊的區(qū)域形成至少兩個柵極過孔，使所述柵極過孔與所述有源層、像素電極及數(shù)據(jù)線之間均間隔有所述柵絕緣層。

4.如權利要求3所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述柵絕緣薄膜的厚度為

5.如權利要求3所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述至少兩個柵極過孔與所述有源層之間的柵絕緣層厚度為均

6.如權利要求3所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述步驟S3中，在形成至少兩個柵極時，至少一個柵極形成柵極延伸部，所述柵極延伸部延伸至所述有源層的上方未被所述數(shù)據(jù)線覆蓋的區(qū)域，且所述柵極延伸部所在區(qū)域與所述數(shù)據(jù)線所在區(qū)域不交疊。

7.如權利要求1～6中任一項所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述步驟S2中形成兩個柵極過孔：第一過孔和第二過孔，所述步驟S3中，對于每一個像素單元形成一條柵線及與所述柵線連接的兩個柵極：第一柵極和第二柵極，使所述第一柵極位于所述第一柵極過孔中，使所述第二柵極位于所述第二柵極過孔中。

8.如權利要求1～6中任一項所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述步驟S2中形成兩個柵極過孔：第一過孔和第二過孔，所述步驟S3中，對于每一個像素單元形成兩條柵線：第一柵線和第二柵線，形成兩個柵極：第一柵極和第二柵極，使所述第一柵極連接第一柵線，且位于所述第一柵極過孔中，使所述第二柵極連接第二柵線，且位于所述第二柵極過孔中。

9.一種陣列基板，包括：襯底基板、像素電極、有源層、數(shù)據(jù)線、柵絕緣層及柵金屬層，其特征在于，所述像素電極和有源層位于所述襯底基板之上，且相互連接，所述數(shù)據(jù)線位于有源層之上，所述柵絕緣層覆蓋在所述襯底基板、像素電極、有源層及數(shù)據(jù)線之上，所述柵絕緣層上對應有源層周圍且不與所述像素電極和數(shù)據(jù)線所在區(qū)域交疊的區(qū)域形成有至少兩個柵極過孔，所述柵極過孔與所述有源層、像素電極及數(shù)據(jù)線之間均間隔有所述柵絕緣層；

所述柵金屬層包括：柵線及至少兩個柵極，所述至少兩個柵極連接所述柵線，且分別位于所述至少兩個柵極過孔中。

10.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層的厚度為

11.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述至少兩個柵極過孔與所述有源層之間的柵絕緣層厚度均為

12.如權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述至少兩個柵極中的至少一個柵極形成有柵極延伸部，所述柵極延伸部延伸至所述有源層的上方未被所述數(shù)據(jù)線覆蓋的區(qū)域，且所述柵極延伸部所在區(qū)域與所述數(shù)據(jù)線所在區(qū)域不交疊。

13.如權利要求9～12中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述至少兩個柵極過孔為兩個柵極過孔：第一過孔和第二過孔，對于每一個像素單元，柵金屬層包括：一條柵線及與所述柵線連接的兩個柵極：第一柵極和第二柵極，所述第一柵極位于所述第一柵極過孔中，所述第二柵極位于所述第二柵極過孔中。