[發(fā)明專利]一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的陣列基板及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310715251.3
• 申請(qǐng)日: 2013-12-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104733471A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉巍;魏朝剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山國(guó)顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L23/498;H01L27/32;H01L21/84;H01L21/48
• 代理公司: 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
• 代理人: 張秋越

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器件領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的陣列基板及其制備方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光顯示器件（OLED?）是主動(dòng)發(fā)光器件。相比現(xiàn)在的主流平板顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器（TFT?-LCD?)?,?OLED?具有高對(duì)比度，廣視角，低功耗，體積更薄等優(yōu)點(diǎn)，有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。?????目前OLED的陣列基板通常由多層金屬及多層絕緣膜構(gòu)成，可以采用如鉬，鉬鎢，鋁，釹化鋁（Mo，MoW，Al，AlNd）等金屬通過(guò)濺鍍的方式形成第一層金屬并作為TFT的柵極，可以采用化學(xué)氣相沉積的方式形成SiN_x,SiO₂等絕緣層作為TFT的柵極絕緣層，可以采用濺鍍的方式形成如鈦鋁鈦，鉬鋁鉬，鉬（Ti/Al/Ti,Mo/Al/Mo,Mo）等金屬并作為TFT的源極和漏極；可以采用化學(xué)氣相沉積的方式形成SiN_x,SiO₂等絕緣層作為柵極和源漏極間的隔離絕緣層，AMOLED頂發(fā)光器件陽(yáng)極普遍采用透明電極/反射電極/透明電極的結(jié)構(gòu)（如氧化銦錫/銀/氧化銦錫，ITO/Ag/ITO），同時(shí)在外圍端子區(qū)域和柔性線路板（FPC）及IC?邦定的區(qū)域也是采用陽(yáng)極來(lái)和FPC金手指接觸形成導(dǎo)通連接，但是由于電極通電后會(huì)有高低電位的變化，同時(shí)由于水氧進(jìn)入，非常容易使得ITO及Ag間發(fā)生電化學(xué)腐蝕，從而造成走線的短路或斷路。

結(jié)合圖1、2所示，?OLED包括顯示區(qū)A’和焊盤區(qū)B，顯示區(qū)A’位于襯底10的預(yù)定區(qū)域上以顯示圖像。顯示區(qū)A’具有單元像素陣列(圖中未示出)和在該單元像素陣列周圍的驅(qū)動(dòng)電路(圖中未示出)，其中該單元像素陣列具有按矩陣排列的單元像素，并且驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)單元像素。每個(gè)單元像素包括至少一個(gè)薄膜晶體管(圖中未示出)和與其電連接的一像素電極(圖中未示出)。該薄膜晶體管包括一有源層、柵電極和源/漏電極。該像素電極可具有導(dǎo)電層的至少一個(gè)多層結(jié)構(gòu)，封裝區(qū)域C包圍顯示區(qū)A’，該封裝區(qū)域C保護(hù)顯示區(qū)A’中的單元像素免受外部濕氣和氧氣的影響。此外，在封裝區(qū)域C處施加粘合襯底10和封裝襯底的密封劑。

焊盤區(qū)B位于顯示區(qū)A’和封裝區(qū)域C的外側(cè)，并且其是用于將施加電信號(hào)的外部模塊連接至顯示區(qū)A’的區(qū)域。在顯示區(qū)A’和焊盤區(qū)B之間布置用于傳輸該電信號(hào)的各種布線。

焊盤區(qū)B具有與這些布線電連接的至少一個(gè)焊盤電極。焊盤電極可由與柵電極或源/漏電極相同的層形成。當(dāng)焊盤電極由與源/漏電極相同的層形成時(shí)，柵極焊盤可置于焊盤電極之下并由與柵電極相同的層形成。焊盤電極或者柵極焊盤可與布線電連接。在此情況下，端子焊盤即源/漏電極相同的層形成的焊盤可與外部模塊連接。

具體地，目前傳統(tǒng)的有源矩陣OLED陣列基板的剖視截面示意圖如圖1。襯底10包括有顯示區(qū)（顯示區(qū)除薄膜晶體管區(qū)外還包括有電容器等結(jié)構(gòu)圖中未示出）的薄膜晶體管區(qū)A和焊盤區(qū)B。緩沖層11形成于襯底10上，覆蓋襯底10，有源層20形成于緩沖層上，位于薄膜晶體管區(qū)A上，其中該有源層20具有溝道區(qū)201和位于溝道區(qū)201兩側(cè)的源/漏區(qū)202。柵極絕緣層30形成于有源層20上，并對(duì)應(yīng)覆蓋襯底10的整個(gè)表面上。柵電極40形成于柵極絕緣層30上，對(duì)應(yīng)于位于溝道區(qū)201的上方。隨后，層間絕緣層50形成于柵電極上，并對(duì)應(yīng)覆蓋襯底的整個(gè)表面。在薄膜晶體管區(qū)A的層間絕緣層50和柵極絕緣層30形成有顯露出源/漏區(qū)202的源/漏接觸孔。分隔開(kāi)的兩個(gè)源/漏電極61形成于層間絕緣層50上，其中源/漏電極61通過(guò)源/漏接觸孔與源/漏區(qū)202耦合。同時(shí)，焊盤電極62（焊盤電極62與源/漏電極61由同一金屬層刻蝕形成）形成于焊盤區(qū)B的層間絕緣層50上。平坦化層70形成于源/漏電極61和焊盤電極62上，對(duì)應(yīng)覆蓋襯底的整個(gè)表面上。平坦化層70上形成有暴露出源/漏電極61中任一個(gè)的通孔701和暴露焊盤電極62的焊盤接觸孔702。