[發明專利]一種有機發光顯示器件的陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 201310715251.3
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN104733471A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 劉巍;魏朝剛
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/498;H01L27/32;H01L21/84;H01L21/48
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 張秋越

1.一種有機發光顯示器件的陣列基板，包括薄膜晶體管區和焊盤區，其特征在于，薄膜晶體管區的源/漏極與焊盤區的端子焊盤由同一導電層形成，該導電層為多層復合層結構，其從下至上包括底層、中間層和頂層，底層是導電金屬氮化物或金屬中的一種或多種構成的單層或多層結構，中間層是由金屬中的一種或多種構成的單層或多層結構，頂層是導電金屬氮化物中的一種或幾種構成的單層或多層結構。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，底層是由TiN、TaN、Al、Ti?或Ta中的一種或多種構成的單層或多層結構，中間層是Al、Ag或Cu中的一種或多種的單層或多層結構?，頂層是由TiN或TaN中的一種或兩種構成的單層或多層結構。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述頂層和中間層之間還設有過渡層，所述過渡層為Ti或Ta中的一種或兩種構成的單層或多層結構。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，底層是由TiN層、TaN層、Al層、Ti層?或Ta層中的一種構成的單層結構或由其兩種以上任意組合構成的多層結構，中間層是Al層、Ag層或Cu層中的一種或多種的單層或多層結構，頂層是由TiN層或TaN層中的一種構成的單層結構或二者構成的多層結構。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述頂層和中間層之間還設有過渡層，所述過渡層為Ti層或Ta層中的一種構成的單層結構或兩種構成的多層結構。

6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述導電層為多層復合結構，該多層復合結構為：底層：鈦層，中間層：鋁層，頂層：氮化鈦層；底層：氮化鈦層，中間層：鋁層，頂層：氮化鈦層；底層：鉭層，中間層：鋁層，頂層：氮化鉭層；底層：氮化鉭層，中間層：鋁層，頂層：氮化鉭；底層：氮化鈦層和鈦層構成的雙層結構，中間層：鋁層，過渡層：鈦層，頂層：氮化鈦層；或者，底層：氮化鉭層和鉭層構成的雙層結構，中間層：鋁層，過渡層：鉭層，頂層：氮化鉭層。

7.根據權利要求1~6任一項所述的陣列基板，其特征在于，該陣列基板還包括平坦化層，其形成于薄膜晶體管區的源/漏極與焊盤區的端子焊盤上，對應覆蓋該陣列基板的襯底，并形成有顯露出薄膜晶體管區的源/漏極的通孔和顯露出端子焊盤的通孔。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，該陣列基板還包括像素電極，其形成于平坦化層上，位于薄膜晶體管區，像素電極通過形成于平坦化層的通孔與源/漏極耦合。

9.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，像素電極為三層結構，其從下至上依次形成的第一像素電極層、第二像素電極層和第三像素電極層。

10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述第一像素電極層和第三像素電極層為透明導電材料，所述第二像素電極層為反射金屬。

11.根據權利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導電材料為ITO，所述反射金屬為Ag或Al。

12.根據權利要求1~6任一項所述的陣列基板，其特征在于，薄膜晶體管區的柵電極與焊盤區的焊盤電極由同一導電層形成，所述端子焊盤與所述焊盤電極耦合。