[發明專利]一種Bi1-xDyxFeO3 低漏電流薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201310714220.6 | 申請日： | 2013-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN103693694A | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發明（設計）人： | 談國強;晏霞 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | C01G49/00 | 分類號： | C01G49/00 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 陸萬壽 |
| 地址： | 710021 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 bi sub dy feo 漏電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種Bi1-xDyxFeO3低漏電流薄膜，其特征在于：其化學式為Bi1-xDyxFeO3，x=0.09～0.12；在117kV/cm的電場下，其漏電流密度為1.01×10-8～6.39×10-9A/cm2。
2.根據權利要求1所述的Bi1-xDyxFeO3低漏電流薄膜，其特征在于：其為菱方結構，空間點群為R-3m(166)，晶胞參數晶粒尺寸大小為20～60nm。
3.根據權利要求1或2所述的Bi1-xDyxFeO3低漏電流薄膜，其特征在于：包括Bi0.91Dy0.09FeO3低漏電流薄膜、Bi0.90Dy0.10FeO3低漏電流薄膜和Bi0.88Dy0.12FeO3低漏電流薄膜；并且在0～117kV/cm的電場內，Bi0.91Dy0.09FeO3低漏電流薄膜的漏電流密度為4.8×10-11～1.01×10-8A/cm2，Bi0.90Dy0.10FeO3低漏電流薄膜的漏電流密度為7.41×10-10～7.12×10-9A/cm2，Bi0.88Dy0.12FeO3低漏電流薄膜的漏電流密度為2.14×10-12～6.39×10-9A/cm2。
4.一種如權利要求1-3中任意一項所述的Bi1-xDyxFeO3低漏電流薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：按摩爾比為(1.05-x):1:x將Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·9H2O和Dy(NO3)3·6H2O溶于由乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，攪拌均勻，得到前驅液；其中，前驅液中總的金屬離子濃度為0.25～0.35mol/L，x=0.09～0.12；
步驟2：將前驅液旋涂在FTO/glass基片上制備濕膜，濕膜經勻膠后在180～210℃下烘烤得干膜，再在540～550℃退火，得到Bi1-xDyxFeO3薄膜；
步驟3：待Bi1-xDyxFeO3薄膜冷卻后，再在Bi1-xDyxFeO3薄膜上重復步驟2，使Bi1-xDyxFeO3薄膜達到所需厚度，即得到Bi1-xDyxFeO3低漏電流薄膜。
5.根據權利要求4所述的Bi1-xDyxFeO3低漏電流薄膜的制備方法，其特征在于：所述的步驟1中混合液中乙二醇甲醚和醋酸酐的體積比為(2.5～3.5):1。
6.根據權利要求4或5所述的Bi1-xDyxFeO3低漏電流薄膜的制備方法，其特征在于：所述的步驟1中x=0.09、0.10或0.12。
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