[發明專利]一種陣列基板及其制造方法、GOA單元以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201310713416.3
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103715201A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 崔承鎮;金熙哲;宋泳錫;劉聖烈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786;H01L29/10
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、GOA單元以及顯示裝置。

背景技術

為了提高顯示裝置的顯示效果，越來越多的人開始將注意力投向顯示裝置的窄邊框設計，現有技術對于窄邊框顯示器的制作通常是將工藝邊際量壓縮至極限的方法來實現，其中一項非常重要的技術就是陣列基板行驅動（Gate?Driver?on?Array，簡稱GOA）的技術量產化的實現。利用GOA技術將柵極開關電路集成在顯示面板的陣列基板上以形成對顯示面板的掃描驅動，從而可以省掉柵極驅動集成電路部分，其不僅可以從材料成本和制作工藝兩方面降低產品成本，而且顯示面板可以做到兩邊對稱和窄邊框的美觀設計。

在GOA單元中通常形成有大小與形狀多樣的TFT（Thin?Film?Transistor，薄膜場效應晶體管），這樣在通過構圖工藝形成TFT的源漏極的過程中，源漏電極灰化工藝中所使用的半色調掩膜板（Half?Tone?Mask，HTM）的透光率需要根據TFT大小產生變化，HTM透光率的變化將引起灰化工藝中不同的TFT的溝道對應位置處的光刻膠的厚度不一致，從而最終導致后續刻蝕后光刻膠相對薄弱的TFT中的溝道發生斷開不良。

在GOA單元中，通常包括位于不同區域的兩種TFT，這兩種TFT的大小并不相同，其的剖面圖可以分別如圖1和圖2所示，其中兩種TFT的結構和形成過程相同，均包括依次形成在透明基板1表面的柵極2、柵絕緣層（圖中未示出）、有源層3以及源漏金屬層4，為了形成溝道，源漏金屬層的表面形成有光刻膠層5，當使用HTM曝光顯影后，TFT溝道位置對應的源漏金屬層4上方的光刻膠層5所保留的光刻膠的厚度并不相同，可以看到，圖1所示TFT結構中對應溝道區域的光刻膠層5厚度為h1，圖2所示TFT結構中對應溝道區域的光刻膠層5厚度為h2，h1＜h2。由于h1的厚度較小，在進一步通過構圖工藝形成溝道的過程中，可能會對有源層3產生不必要的刻蝕，這將導致TFT中溝道區域斷開，產生不良，使得TFT無法實現相應的功能。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法、GOA單元以及顯示裝置，可以避免GOA單元中TFT溝道區域斷開而導致的斷路不良。

本發明實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括形成在基板表面的柵極、柵絕緣層、有源層以及源漏金屬層，所述源漏金屬層用于形成TFT的源漏極和溝道區域，所述陣列基板包括多個第一TFT和多個第二TFT，所述第一TFT的溝道區域的長度小于所述第二TFT的溝道區域的長度。

具體的，在形成TFT的源漏極和溝道區域之前，所述源漏金屬層的表面還形成有光刻膠層。

其中，所述光刻膠層對應TFT的溝道區域的厚度小于對應TFT的源漏極區域的厚度。

所述光刻膠層對應所述第一TFT的溝道區域的厚度與對應所述第二TFT的溝道區域的厚度相等。

在本發明實施例中，所述光刻膠層采用灰色調掩膜板曝光顯影形成。

其中，所述灰色調掩膜板包括灰色調膜層，所述灰色調膜層包括多個第一區域和多個第二區域，所述第一區域對應所述第一TFT的溝道區域，所述第二區域對應所述第二TFT的溝道區域。

位于所述第一區域的灰色調膜層的厚度大于位于所述第二區域的灰色調膜層的厚度。

具體的，位于所述第一區域的灰色調膜層的厚度與位于所述第二區域的灰色調膜層的厚度差為

所述第一TFT的溝道區域的長度為4.0～5.0μm。

所述第二TFT的溝道區域的長度為5.0～6.0μm。

本發明實施例還提供一種陣列基板，包括多個如上所述的第一TFT和第二TFT。

另一方面，本發明實施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板或包括如上所述的GOA單元。

此外，本發明實施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括：

在基板的表面依次形成柵極、柵絕緣層、有源層以及源漏金屬層。

在形成有所述源漏金屬層的基板的表面通過構圖工藝處理形成多個第一TFT和第二TFT的源漏極和溝道區域，所述第一TFT的溝道區域的長度小于所述第二TFT的溝道區域的長度。