[發明專利]一種陣列基板及其制造方法、GOA單元以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201310713416.3
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103715201A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 崔承鎮;金熙哲;宋泳錫;劉聖烈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786;H01L29/10
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括形成在基板表面的柵極、柵絕緣層、有源層以及源漏金屬層，所述源漏金屬層用于形成TFT的源漏極和溝道區域，其特征在于，所述陣列基板包括多個第一TFT和多個第二TFT，所述第一TFT的溝道區域的長度小于所述第二TFT的溝道區域的長度。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在形成TFT的源漏極和溝道區域之前，所述源漏金屬層的表面還形成有光刻膠層；

所述光刻膠層對應TFT的溝道區域的厚度小于對應TFT的源漏極區域的厚度；

所述光刻膠層對應所述第一TFT的溝道區域的厚度與對應所述第二TFT的溝道區域的厚度相等。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，所述光刻膠層采用灰色調掩膜板曝光顯影形成；

所述灰色調掩膜板包括灰色調膜層，所述灰色調膜層包括多個第一區域和多個第二區域，所述第一區域對應所述第一TFT的溝道區域，所述第二區域對應所述第二TFT的溝道區域；

位于所述第一區域的灰色調膜層的厚度大于位于所述第二區域的灰色調膜層的厚度。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，位于所述第一區域的灰色調膜層的厚度與位于所述第二區域的灰色調膜層的厚度差為

5.根據權利要求1-4任一所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一TFT的溝道區域的長度為4.0～5.0μm；

所述第二TFT的溝道區域的長度為5.0～6.0μm。

6.一種GOA單元，其特征在于，包括多個如權利要求1-5任一所述的第一TFT和第二TFT。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任一所述的陣列基板或包括如權利要求6所述的GOA單元。

8.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的表面依次形成柵極、柵絕緣層、有源層以及源漏金屬層；

在形成有所述源漏金屬層的基板的表面通過構圖工藝處理形成多個第一TFT和第二TFT的源漏極和溝道區域，所述第一TFT的溝道區域的長度小于所述第二TFT的溝道區域的長度。

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述源漏金屬層的基板的表面通過構圖工藝處理形成多個第一TFT和第二TFT的源漏極和溝道區域包括：

在所述源漏金屬層的表面形成光刻膠層；

采用灰色調掩膜板對所述光刻膠層進行曝光顯影，以使得所述光刻膠層對應TFT的溝道區域的厚度小于對應TFT的源漏極區域的厚度，且所述光刻膠層對應所述第一TFT的溝道區域的厚度與對應所述第二TFT的溝道區域的厚度相等；

刻蝕掉TFT的溝道區域對應的所述光刻膠層，剝離剩余的光刻膠層，形成多個第一TFT和第二TFT的源漏極和溝道區域。

10.根據權利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一區域的灰色調膜層的厚度與位于所述第二區域的灰色調膜層的厚度差為

11.根據權利要求8-10任一所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，

所述第一TFT的溝道區域的長度為4.0～5.0μm；

所述第二TFT的溝道區域的長度為5.0～6.0μm。