[發明專利]OLED顯示器件及其制備方法、OLED顯示裝置有效
| 申請號: | 201310713135.8 | 申請日: | 2013-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103681768B | 公開(公告)日: | 2017-01-11 |
| 發明(設計)人: | 陳長堤;陸相晚;駱意勇;楊濤 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司11002 | 代理人: | 李迪 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 器件 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種OLED顯示器件及其制備方法、OLED顯示裝置。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)以其寬視角、低功耗、高響應、高亮度和低成本等優點而有望成為替代TFT-LCD的下一代顯示技術。雖然OLED在實驗室的研發技術已經比較成熟,但在量產應用中還存在一些大問題。其中一個極其重要的課題之一便是其使用壽命。眾所周知,OLED是一種對水汽和氧氣極其敏感的顯示器件,特別是水汽,如果環境中滲透進去水氧,就容易在發光區域造成黑點,且黑點會隨著時間延長而擴大。目前主要通過對OLED進行封裝,主要包括金屬蓋和玻璃蓋等蓋板封裝技術,及以Vitex?Systems公司開發的Barix薄膜封裝層為代表的薄膜封裝技術。但這些現有技術要么表面不易平整(如金屬蓋板),容易產生微裂縫(如玻璃蓋板),要么成本高,制作工藝復雜(如Barix薄膜封裝技術)。因此在OLED抗水氧方面尚需進一步探索新型結構和技術。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是如何消除外界環境中水氧對OLED使用壽命的影響。
(二)技術方案
為了解決上述技術問題,本發明提供一種OLED顯示器件,包括:襯底層、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光材料層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和封裝層,所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和/或電子注入層中摻雜有吸水有機物和吸氧有機物。
其中,所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層,每一層中所摻雜的吸水有機物和吸氧有機物的質量和不超過該層總質量的千分之一。
其中,所述吸水有機物為鋁基復合物,吸氧有機物為抗壞血酸及其衍生物。
其中,所述空穴注入層由F4TCNQ、TCNQ、PPDN、CuPC、或TiOPC形成。
其中,所述空穴傳輸層由F4TCNQ、TCNQ、PPDN、CuPC、TiOPC、或TCTA形成。
其中,所述電子傳輸層由BCP、Bphen、TPBi、Alq3、Liq、Nbphen、或TAZ形成。
其中,所述電子注入層由LiF、LiBq4、或Alq3:Li3N形成。
本發明還提供了一種OLED顯示裝置,包括上述任一所述的OLED顯示器件及驅動電路。
本發明進一步提供了一種OLED顯示器件制備方法,包括以下步驟:形成襯底層的步驟、形成陽極層的步驟、形成空穴注入層的步驟、形成空穴傳輸層的步驟、形成發光材料層的步驟、形成電子傳輸層的步驟、形成電子注入層的步驟、形成陰極層的步驟以及形成封裝層的步驟,其中,還包括在所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和/或電子注入層中或者在用于形成所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和/或電子注入層的材料中摻雜吸水有機物和吸氧有機物的步驟。
其中,所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層每一層中所摻雜的吸水有機物和吸氧有機物的質量和不超過該層總質量的千分之一。
(三)有益效果
上述技術方案所提供的OLED顯示器件及其制備方法和OLED顯示裝置,在空穴注入層、空穴傳輸層和電子注入層、電子傳輸層中摻雜微量的吸水、吸氧有機物,其中吸水有機物會優先和水汽反應,消耗掉裝置內的水汽。而其中的吸氧有機物由于其還原性強,容易被氧化,會優先和氧氣反應,消耗侵入的微量氧氣,從而使得環境中侵入的微量水氧不會進入到發光材料層,避免了在發光區域產生黑點等不良,提高了顯示質量和顯示壽命。同時,也保護了其他有機功能層,有效避免了水氧的侵蝕,從而有效提高了OLED顯示器件的壽命。
附圖說明
圖1是本發明實施例OLED顯示器件的結構示意圖。
其中,1:襯底基板;2:陽極層;3:空穴注入層;4:空穴傳輸層;5:發光材料層;6:電子傳輸層;7:電子注入層;8:陰極層;9:薄膜層。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例,對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明,但不用來限制本發明的范圍。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





