[發(fā)明專(zhuān)利]OLED顯示器件及其制備方法、OLED顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310713135.8
• 申請(qǐng)日: 2013-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103681768B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳長(zhǎng)堤;陸相晚;駱意勇;楊濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;G09F9/33
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11002
• 代理人: 李迪

1.一種OLED顯示器件，包括：襯底層、陽(yáng)極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和封裝層，其特征在于，所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和/或電子注入層中摻雜有吸水有機(jī)物和吸氧有機(jī)物。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件，其特征在于，所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層，每一層中所摻雜的吸水有機(jī)物和吸氧有機(jī)物的質(zhì)量和不超過(guò)該層總質(zhì)量的千分之一。

3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件，其特征在于，所述吸水有機(jī)物為鋁基復(fù)合物，吸氧有機(jī)物為抗壞血酸及其衍生物。

4.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件，其特征在于，所述空穴注入層由F4TCNQ、TCNQ、PPDN、CuPC、或TiOPC形成。

5.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件，其特征在于，所述空穴傳輸層由F4TCNQ、TCNQ、PPDN、CuPC、TiOPC、或TCTA形成。

6.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件，其特征在于，所述電子傳輸層由BCP、Bphen、TPBi、Alq3、Liq、Nbphen、或TAZ形成。

7.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示器件，其特征在于，所述電子注入層由LiF、LiBq4、或Alq3:Li3N形成。

8.一種OLED顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-7之任一所述的OLED顯示器件及驅(qū)動(dòng)電路。

9.一種OLED顯示器件制備方法，包括以下步驟：形成襯底層的步驟、形成陽(yáng)極層的步驟、形成空穴注入層的步驟、形成空穴傳輸層的步驟、形成發(fā)光材料層的步驟、形成電子傳輸層的步驟、形成電子注入層的步驟、形成陰極層的步驟以及形成封裝層的步驟，其中，其特征在于，還包括在所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和/或電子注入層中或者在用于形成所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和/或電子注入層的材料中摻雜吸水有機(jī)物和吸氧有機(jī)物的步驟。

10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層每一層中所摻雜的吸水有機(jī)物和吸氧有機(jī)物的質(zhì)量和不超過(guò)該層總質(zhì)量的千分之一。