[發明專利]有機發光裝置

在審

• 申請號: 201310712107.4
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103915476A
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 姜真求;申榮訓
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

技術領域

本發明涉及有機發光裝置，更具體地，涉及有機發光裝置的鈍化層。

背景技術

雖然液晶顯示裝置已經廣泛用作平板顯示裝置，但是液晶顯示裝置需要背光作為單獨的光源并且在亮度和對比度方面具有技術局限性。就這一點而言，已經增加了對亮度和對比度比較優秀的有機發光裝置的關注。

有機發光裝置具有在陰極與陽極之間插入發光層的結構，其中，陰極中產生電子，并且陽極中產生空穴。如果陰極中產生的電子和陽極中產生的空穴被注入到發光層中，則通過所注入的電子和空穴的復合產生激發子，然后所產生的激發子從被激發狀態改變為基態，借此發出光。這樣，有機發光裝置顯示圖像圖像。

下文中，將參照附圖描述根據相關技術的有機發光裝置。

圖1是例示根據相關技術的有機發光裝置的簡要截面圖。

如圖1所示，相關技術的有機發光裝置包括第一基板10、發光裝置層20、鈍化層30、粘合層40和第二基板50。

發光裝置層20形成在第一基板10上。發光裝置層20包括形成在第一基板10上的薄膜晶體管層21和形成在薄膜晶體管層21上的發光二極管層22。

鈍化層30形成在發光裝置層20上。鈍化層30用于防止水滲透到發光裝置層20中。該鈍化層30包括諸如SiNx等的無機絕緣膜。

粘合層40形成在鈍化層30上。粘合層40用于將基板50粘合到鈍化層30上。

第二基板50形成在粘合層40上，并且用于保護有機發光裝置不受外部影響。

相關技術的上述有機發光裝置具有以下問題。

可以通過等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）或濺射來沉積用作鈍化層的諸如SiNx等的無機絕緣膜。如果利用濺射法來沉積無機絕緣膜，則可能損壞構成發光二極管層22的有機發光層。因此，主要利用PECVD法來沉積無機絕緣膜。

而且，如果利用PECVD法來沉積無機絕緣膜，則應當在小于有機發光層的玻璃轉換溫度Tg的溫度執行沉積工序。因此，在100℃或更低的溫度下，針對無機絕緣膜執行沉積工序。同時，通過這種沉積工序獲得的無機絕緣膜含有從諸如SiH₄和NH₃等的源氣分解的大量氫（H）。

如上所述，根據相關技術的發光裝置，鈍化層30含有大量H。如果鈍化層30含有大量H，則H隨著時間流逝向下移動，借此H可以被擴散到薄膜晶體管層21的有源層中。這樣，如果H被擴散到有源層中，則H使構成有源層的半導體氧化，借此改變了薄膜晶體管的閾值電壓。因此，出現了所顯示的圖像質量劣化的問題。

發明內容

因此，本發明致力于提供一種有機發光裝置，該有機發光裝置能夠基本解決由于相關技術的限制和缺陷而引起的一個或更多問題。

本發明的優點是提供一種降低鈍化層中含有的H含量、以最小化擴散到薄膜晶體管的有源層中的H量，從而提高圖像質量的有機發光裝置。

本發明的附加優點和特征將在下面的描述中部分地得到描述，并且，在某種程度上，對于閱讀下面內容的本領域普通技術人員將變得明確，或者可以通過本發明的實踐來得到了解。通過書面的說明書及其權利要求以及附圖中特別指出的結構可以實現和獲得本發明的目的和其它優點。

為了實現這些目的和其它優點，并且根據本發明的目的，如本文具體實施和廣泛描述的，根據本發明的有機發光裝置包括第一基板；薄膜晶體管層，該薄膜晶體管層形成在所述第一基板上；發光二極管層，該發光二極管層形成在所述薄膜晶體管層上；以及鈍化層，該鈍化層形成在所述發光二極管層上，所述鈍化層包括第一無機絕緣膜和第二無機絕緣膜，其中，所述第一無機絕緣膜中含有的H含量小于所述第二無機絕緣膜中含有的H含量。

應該理解，對本發明的以上概述和以下詳述都是示例性和解釋性的，并旨在對所要求保護的本發明提供進一步的解釋。

附圖說明

包括附圖來提供對本發明的進一步理解，附圖被結合到本申請中且構成本申請的一部分，附圖示出了本發明的實施方式，且與說明書一起用于解釋本發明的原理。在附圖中：

圖1是例示根據相關技術的有機發光裝置的簡要截面圖；

圖2是例示根據本發明的一個實施方式的有機發光裝置的簡要截面圖；

圖3的（a）至圖3的（c）是例示根據本發明的多個實施方式的鈍化層的截面圖；以及

圖4是例示根據本發明的一個實施方式的有機發光裝置的薄膜晶體管層的詳細截面圖。

具體實施方式