[發(fā)明專利]有機發(fā)光裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310712107.4 | 申請日： | 2013-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN103915476A | 公開（公告）日： | 2014-07-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 姜真求;申榮訓(xùn) | 申請（專利權(quán)）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 有機 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種有機發(fā)光裝置，該有機發(fā)光裝置包括：
第一基板；
薄膜晶體管層，該薄膜晶體管層形成在所述第一基板上；
發(fā)光二極管層，該發(fā)光二極管層形成在所述薄膜晶體管層上；以及
鈍化層，該鈍化層形成在所述發(fā)光二極管層上，所述鈍化層包括第一無機絕緣膜和第二無機絕緣膜，
其中，所述第一無機絕緣膜中含有的H含量小于所述第二無機絕緣膜中含有的H含量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中，所述第一無機絕緣膜中含有的H含量大于10%且小于30%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中，所述第二無機絕緣膜中含有的H含量大于30%且小于40%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中，所述第一無機絕緣膜和所述第二無機絕緣膜各包括SiNx、SiOx、SiON或AlOx。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中，所述第一無機絕緣膜和所述第二無機絕緣膜由彼此相同的材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中，所述第一無機絕緣膜的厚度與所述第二無機絕緣膜的厚度之比在2:8至8:2的范圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中，所述第一無機絕緣膜形成在所述發(fā)光二極管層上，并且所述第二無機絕緣膜形成在所述第一無機絕緣膜上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光裝置，其中，在所述第二無機絕緣膜上還形成有第三無機絕緣膜，并且所述第三無機絕緣膜中含有的H含量大于10%且小于30%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中，所述第二無機絕緣膜形成在所述發(fā)光二極管層上，并且所述第一無機絕緣膜形成在所述第二無機絕緣膜上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光裝置，其中，在所述第一無機絕緣膜上還形成有第三無機絕緣膜，并且所述第三無機絕緣膜中含有的H含量大于30%且小于40%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于樂金顯示有限公司，未經(jīng)樂金顯示有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310712107.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
