[發明專利]用于邊緣場開關模式液晶顯示設備的陣列基板及其制造方法

在審

• 申請號: 201310711877.7
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN103901679A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 郭喜榮;安相昱;張真稀
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/1368
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

本申請要求2012年12月24日在韓國提交的韓國專利申請No.10-2012-0152244的權益，通過參考將其并入本文，就如在本文中全部列出一樣。

技術領域

本申請涉及一種液晶顯示設備，更特別地，涉及一種用于邊緣場開關（FFS）模式液晶顯示（LCD）設備的陣列基板及其制造方法。

背景技術

基于液晶材料的光學各向異性和極化特性驅動液晶顯示（LCD）設備。LCD設備廣泛地用于便攜式電子設備的顯示單元、個人電腦的顯示屏或者電視。

液晶分子具有長且薄的形狀，液晶分子沿著取向方向有規律地排列。光沿著液晶分子的長且薄的形狀通過LCD設備。液晶分子的取向取決于施加到液晶分子的電場的強度或方向。通過控制電場強度或方向，可控制液晶分子的取向以顯示圖像。

通常，LCD設備包括相間隔且彼此面對的兩個基板，液晶層插入兩個基板之間。每一個基板都包括電極。各基板的電極彼此面對。通過將電壓施加到每個電極，在電極之間引入電場。液晶分子的取向方向根據電場的強度或方向的變化而改變。

但是，由于LCD設備使用垂直于基板的垂直電場，因此LCD設備視角較差。

為了解決視角差，已經提出了面內開關（IPS）模式液晶顯示（LCD）設備。

在IPS模式LCD設備中，將像素電極和公共電極交替設置在相同基板上，在像素電極和公共電極之間引入與基板平行的水平電場。通過水平電場驅動液晶分子，且液晶分子平行于基板移動。因此，IPS模式LCD設備具有改善的視角。

但是，IPS模式LCD設備具有低孔徑比和透射率的缺陷。為了解決IPS模式LCD設備的缺陷，已經提出了邊緣場開關（FFS）模式LCD設備。

圖1是示出用于現有技術FFS模式LCD設備的陣列基板的像素區的截面圖，圖2是示出現有技術陣列基板的公共接觸孔區域的截面圖，圖3是示出現有技術陣列基板的數據焊墊電極的焊墊區的截面圖。

在圖1、圖2和圖3中，在透明絕緣基板1上形成柵極線（未示出）、柵極5和公共線7。如圖中未示出的，柵極焊墊電極連接到柵極線的一端。

在整個基板1上方，形成柵極絕緣層10于柵極線、柵極5、公共線7和柵極焊墊電極上。

包括有源層20a和歐姆接觸層20b的半導體層20與柵極5對應的形成在柵極絕緣層10上方，彼此間隔的源極和漏極33和36形成在半導體層20上方。數據線（未示出）形成在柵極絕緣層10上方。數據線與柵極線交叉以限定像素區P。數據焊墊電極31形成在焊墊區PA中并連接到數據線的一端。包括第一圖案21a和第二圖案21b的半導體虛擬圖案21形成在數據焊墊電極31下方。

柵極5、半導體層20、源極33和漏極36構成薄膜晶體管Tr。

無機絕緣材料的第一鈍化層40形成在數據線、數據焊墊電極31和源極及漏極33及36上。有機絕緣材料的第二鈍化層50形成在第一鈍化層40上且具有平坦頂部表面。去除焊墊區PA中的第二鈍化層50。

公共接觸孔55形成在第一和第二鈍化層40和50以及柵極絕緣層10中并暴露出公共線7。

公共電極60形成在第二鈍化層50上并經由公共接觸孔55連接至公共線7。公共電極60具有與像素區P中的開關區TrA對應的第一開口op1。

無機絕緣材料的第三鈍化層63形成在公共電極60上。由于去除焊墊區PA中的第二鈍化層50，因此第三鈍化層63直接形成在焊墊區PA中的第一鈍化層40上。

在第一、第二和第三鈍化層40、50和63中形成漏極接觸孔68，且漏極接觸孔68暴露出薄膜晶體管Tr的漏極36。

透明導電材料的像素電極70形成在像素區P中的第三鈍化層63上，并經由漏極接觸孔68連接到漏極36。像素電極70包括多個開口op2，每一開口都為條狀并彼此間隔。

通過七次掩模工藝制造用于現有技術FFS模式LCD設備的陣列基板。下面將簡要解釋制造該陣列基板的方法。

圖4A至4C是示出在其制造步驟中用于現有技術FFS模式LCD設備的陣列基板的像素區的截面圖，圖5A至5C是示出在其制造步驟中陣列基板的公共接觸孔區域的截面圖，圖6A至6C是示出在其制造步驟中陣列基板的數據焊墊電極的焊墊區的截面圖。圖4A至4C、圖5A至5C和圖6A至6C示出了在基板上形成第一和第二鈍化層的步驟。