[發明專利]刻蝕機的窗口遮擋裝置

有效

• 申請號: 201310707894.3
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN104733276A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 徐巖
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗;鮑相如

技術領域

本發明屬于半導體及平板顯示行業刻蝕領域，特別涉及一種刻蝕機的窗口遮擋裝置。

背景技術

刻蝕技術（etching?technique），是在半導體及平板顯示工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。

刻蝕可分為濕刻蝕和干刻蝕，干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導體工業所采用的技術。其利用等離子體?(plasma)?來進行薄膜材料的蝕刻加工。其中等離子體必須在真空度約10至0.001?Torr?的環境下，才有可能被激發出來；而干蝕刻采用的氣體，或轟擊質量頗巨，或化學活性極高，均能達成蝕刻的目的。

干刻蝕過程中等離子體具有較高的刻蝕速率，如果工藝控制不合理的話，出現的過度刻蝕很容易造成下一層材料的損傷，進而造成器件失效。因此，必須對刻蝕過程中的一些參數，如刻蝕用的化學氣體、刻蝕時間、刻蝕速率，以及刻蝕選擇比等參數進行嚴格控制。此外，刻蝕機狀態的細微改變，如反應腔體內氣體流量、溫度、氣體的回流狀態等都會影響到對刻蝕參數的控制。因此，必須經常監控刻蝕過程中各種參數的變化，以確保刻蝕過程中刻蝕的一致性。為了實現刻蝕過程的實時監控，干刻蝕設備中通常使用刻蝕終點偵測器對刻蝕程度進行監控。

在干刻蝕過程中，刻蝕機上的刻蝕終點偵測器窗口（EPD?Window）以及其他窗口會受等離子體損傷（Plasma?Damage）而變黑，減薄，進而影響刻蝕終點偵測器或其他窗口光強收集。刻蝕終點偵測器窗口進行多次清洗后變薄會影響設備真空度，而如果更換頻率過高的話又會增加生產成本。為此，目前在刻蝕生產中，大都采用在刻蝕終點偵測器窗口（EPD?Window）或其他窗口前安裝擋板。擋板主材料為Al，表面有陽極氧化處理，擋板表面設置有通光孔。這樣就降低了等離子體對刻蝕終點偵測器窗口（EPD?Window）或其他窗口的損傷。然而，此方案中，經過陽極氧化的擋板會受到等離子體的腐蝕，隔一段時間需要重新進行一次陽極氧化處理或更換，導致生產成本較高。另外，上述擋板上具有一定厚度的通光孔還會帶來終點偵測器窗口的光線折射，影響刻蝕終點偵測的準確度。?????

發明內容

為此，本發明所要解決的技術問題在于提供一種低成本且有效降低刻蝕過程中等離子體對刻蝕終點偵測器窗口或刻蝕機上其他窗口損傷，同時不影響光強收集的刻蝕機的窗口遮擋裝置。

為解決上述技術問題，本發明公開了一種刻蝕機的窗口遮擋裝置，其包括安裝于刻蝕機箱體內壁上，并位于窗口前側的透明遮擋物，所述透明遮擋物為耐腐蝕件。

上述刻蝕機的窗口遮擋裝置中，所述窗口為刻蝕終點偵測器窗口。

上述刻蝕機的窗口遮擋裝置中，所述刻蝕機箱體上設置有用于安裝所述透明遮擋物的支撐裝置，所述支撐裝置為耐高溫絕緣件。所述支撐裝置包括水平支撐件以及位于所述水平支撐件兩側并互相平行設置的垂直支撐件；所述水平支撐件和所述垂直支撐件的內側分別設置凹槽，上述透明遮擋物插入所述凹槽內。

上述刻蝕機的窗口遮擋裝置中，所述凹槽的寬度與所述透明遮擋物的厚度相匹配，所述凹槽寬度為0.5-2mm。

上述刻蝕機的窗口遮擋裝置中，所述透明遮擋物為玻璃擋板。

本發明的上述技術方案相比現有技術具有以下優點：

（1）本發明的刻蝕機的窗口遮擋裝置，其包括安裝于刻蝕機箱體內壁上，并位于窗口前側的透明遮擋物，透明遮擋物為耐腐蝕件。在進行干刻反應時，等離子體（Plasma）被透明遮擋物擋住，不會接觸到刻蝕終點偵測器窗口（EPD?Window）或其他窗口，延長窗口的使用壽命，同時透明遮擋物并不影響光強收集。

（2）在本發明中，位于窗口前側的透明遮擋物為成本較低、耐腐蝕的玻璃擋板，大大降低生產成本。

（3）本發明的刻蝕機的窗口遮擋裝置中，用于安裝透明遮擋物的支撐裝置包括水平支撐件以及垂直支撐件；水平支撐件和垂直支撐件的內側分別設置凹槽，上述透明遮擋物插入所述凹槽內進行固定，上述安裝結構簡單，安裝方式方便，便于透明遮擋物的更換。

附圖說明

為了使本發明的內容更容易被清楚的理解，下面根據本發明的具體實施例并結合附圖，對本發明作進一步詳細的說明，其中

圖1是本發明的結構示意圖；

圖2是本發明位于蝕終點偵測器窗口的遮擋裝置的側視圖；

圖中附圖標記表示為：1-窗口，2-透明遮擋物，3-水平支撐件，4-垂直支撐件，4-刻蝕機箱體。

具體實施方式